- Исследование свойств полупроводниковых приборов

Презентация "Исследование свойств полупроводниковых приборов" по физике – проект, доклад

Слайд 1
Слайд 2
Слайд 3
Слайд 4
Слайд 5
Слайд 6
Слайд 7
Слайд 8
Слайд 9
Слайд 10
Слайд 11
Слайд 12
Слайд 13
Слайд 14
Слайд 15
Слайд 16
Слайд 17
Слайд 18
Слайд 19
Слайд 20
Слайд 21
Слайд 22
Слайд 23
Слайд 24
Слайд 25
Слайд 26
Слайд 27
Слайд 28
Слайд 29
Слайд 30
Слайд 31
Слайд 32
Слайд 33
Слайд 34
Слайд 35
Слайд 36
Слайд 37
Слайд 38

Презентацию на тему "Исследование свойств полупроводниковых приборов" можно скачать абсолютно бесплатно на нашем сайте. Предмет проекта: Физика. Красочные слайды и иллюстрации помогут вам заинтересовать своих одноклассников или аудиторию. Для просмотра содержимого воспользуйтесь плеером, или если вы хотите скачать доклад - нажмите на соответствующий текст под плеером. Презентация содержит 38 слайд(ов).

Слайды презентации

Исследование свойств полупроводниковых приборов. Авторы работы: Шматков Павел Головачев Алексей Никитин Степан. Руководитель: Батищева А. Б. МОУ Сортавальского МР РК СОШ №1
Слайд 1

Исследование свойств полупроводниковых приборов

Авторы работы: Шматков Павел Головачев Алексей Никитин Степан

Руководитель: Батищева А. Б.

МОУ Сортавальского МР РК СОШ №1

Цель работы. Показать необходимость дальнейшего развития полупроводниковой отрасли (несмотря на чувствительность к внешним факторам : повышение температуры, электрические перегрузки, проникающее излучение) производства путем выявления преимуществ над остальными отраслями научной сферы.
Слайд 2

Цель работы

Показать необходимость дальнейшего развития полупроводниковой отрасли (несмотря на чувствительность к внешним факторам : повышение температуры, электрические перегрузки, проникающее излучение) производства путем выявления преимуществ над остальными отраслями научной сферы.

XX и XXI век характеризуется развитием полупроводниковой электроники и микроэлектроники. Это привело к изменению мировой экономики, основанной на новых информационных технологиях. Введение
Слайд 3

XX и XXI век характеризуется развитием полупроводниковой электроники и микроэлектроники. Это привело к изменению мировой экономики, основанной на новых информационных технологиях.

Введение

Компании-лидеры по производству полупроводников
Слайд 4

Компании-лидеры по производству полупроводников

Сравнительная характеристика
Слайд 5

Сравнительная характеристика

Солнечная энергия
Слайд 6

Солнечная энергия

Жорес Алферов. Статья Жореса Алферова: «Перспективы развития нанотехнологий»
Слайд 7

Жорес Алферов

Статья Жореса Алферова: «Перспективы развития нанотехнологий»

Определение и свойства. Полупроводники – вещества, электрическая проводимость которых занимает промежуточное место между проводимостью металлов и диэлектриков. Полупроводник – это материал, который проводит электричество лучше, чем такой диэлектрик, как каучук, но не так хорошо, как хороший проводни
Слайд 8

Определение и свойства

Полупроводники – вещества, электрическая проводимость которых занимает промежуточное место между проводимостью металлов и диэлектриков. Полупроводник – это материал, который проводит электричество лучше, чем такой диэлектрик, как каучук, но не так хорошо, как хороший проводник, например медь. В отличие от металлов, электропроводность полупроводников с повышением температуры и освещенности возрастает.

Полупроводниковые электронные приборы. Светодиод, или светоизлучающий диод (СИД) — полупроводниковое устройство, излучающее некогерентный свет при пропускании через него электрического тока. Излучаемый свет лежит в узком участке спектра, его цветовые характеристики зависят от химического состава исп
Слайд 9

Полупроводниковые электронные приборы

Светодиод, или светоизлучающий диод (СИД) — полупроводниковое устройство, излучающее некогерентный свет при пропускании через него электрического тока. Излучаемый свет лежит в узком участке спектра, его цветовые характеристики зависят от химического состава использованного в СИД полупроводника. Как и в нормальном полупроводниковом диоде, в светодиоде имеется p-n переход. При пропускании электрического тока в прямом направлении, носители заряда — электроны и дырки рекомбинируют с излучением фотонов. На самом деле, любой кремниевый или германиевый диод испускает фотоны, но правильный выбор материалов и технологии позволяет минимизировать потери энергии. Светодиоды используются в сигнальных и осветительных приборах.

Транзистор. Транзистор — трёхполюсный полупроводниковый электронный прибор, изменяющий своё сопротивление при приложении напряжения на управляющий электрод, что позволяет управлять мощной цепью слабым сигналом. Благодаря этому свойству, транзистор применяется для усиления, коммутации и преобразовани
Слайд 10

Транзистор

Транзистор — трёхполюсный полупроводниковый электронный прибор, изменяющий своё сопротивление при приложении напряжения на управляющий электрод, что позволяет управлять мощной цепью слабым сигналом. Благодаря этому свойству, транзистор применяется для усиления, коммутации и преобразования электрических сигналов. Транзисторы — основа всех современных электронных устройств, они применяются практически во всех современных бытовых приборах. Сейчас большая часть транзисторов используется в составе интегральных микросхем. Интегральная микросхема может содержать миллионы транзисторов на одном кристалле полупроводника (в основном кремния).

ТРАНЗИСТОР С p-n-p ПЕРЕХОДОМ. ТРАНЗИСТОР С ПЕРЕХОДОМ типа n-p-n или p-n-p. Показаны эмиттер, коллектор и база. Транзисторы такого типа применяются в качестве усилителей.
Слайд 11

ТРАНЗИСТОР С p-n-p ПЕРЕХОДОМ

ТРАНЗИСТОР С ПЕРЕХОДОМ типа n-p-n или p-n-p. Показаны эмиттер, коллектор и база. Транзисторы такого типа применяются в качестве усилителей.

Точечный транзистор. Две заостренные проволочки прижаты к полупроводниковому кристаллу n-типа (германий), припаянному к металлическому кристаллодержателю. 1 – латунный или иной кристаллодержатель; 2 – области p-типа; 3 – припой или золотой сплав (контакт базы); 4 – кристалл n-типа; 5 – эмиттерный то
Слайд 12

Точечный транзистор

Две заостренные проволочки прижаты к полупроводниковому кристаллу n-типа (германий), припаянному к металлическому кристаллодержателю. 1 – латунный или иной кристаллодержатель; 2 – области p-типа; 3 – припой или золотой сплав (контакт базы); 4 – кристалл n-типа; 5 – эмиттерный точечный контакт (бериллиевая бронза); 6 – коллекторный точечный контакт (фосфористая бронза); 7 – область n-типа.

Сплавной плоскостной транзистор. СПЛАВНОЙ ПЛОСКОСТНОЙ ТРАНЗИСТОР типа pnp, показанный схематически в разрезе. Представляет собой электронный ключ, который открывается и закрывается при изменении направления смещения. Разные варианты такого устройства применяются в компьютерах, телефонном оборудовани
Слайд 13

Сплавной плоскостной транзистор

СПЛАВНОЙ ПЛОСКОСТНОЙ ТРАНЗИСТОР типа pnp, показанный схематически в разрезе. Представляет собой электронный ключ, который открывается и закрывается при изменении направления смещения. Разные варианты такого устройства применяются в компьютерах, телефонном оборудовании и радиоприемниках.

Диффузионный транзистор. 1 – базовая область p-типа; 2 – коллекторный переход; 3 – слой диоксида кремния; 4 – коллекторный контакт; 5 – микрокристалл кремния; 6 – вывод базы; 7 – эмиттерный вывод; 8 – электрическое соединение золото – кремний; 9 – металлический кристаллодержатель; 10 – напыленный эл
Слайд 14

Диффузионный транзистор

1 – базовая область p-типа; 2 – коллекторный переход; 3 – слой диоксида кремния; 4 – коллекторный контакт; 5 – микрокристалл кремния; 6 – вывод базы; 7 – эмиттерный вывод; 8 – электрическое соединение золото – кремний; 9 – металлический кристаллодержатель; 10 – напыленный электрод; 11 – эмиттерная область n-типа; 12 – эмиттерный переход

Планарные биполярные транзисторы. Термин «планарные» означает, что все переходы выходят на поверхность, где они могут быть защищены слоем диоксида кремния. Используются носители обоих типов – и электроны, и дырки, в отличие от полевых транзисторов Существуют два вида транзисторных структур – из объе
Слайд 15

Планарные биполярные транзисторы

Термин «планарные» означает, что все переходы выходят на поверхность, где они могут быть защищены слоем диоксида кремния. Используются носители обоих типов – и электроны, и дырки, в отличие от полевых транзисторов Существуют два вида транзисторных структур – из объемного материала и эпитаксиальная. Первая создается просто на поверхности пластинки из «массивного» кремния. Такой транзистор имеет тот недостаток, что у него большое последовательное сопротивление коллектора, нежелательное в случае переключающего устройства. Этот недостаток отсутствует при использовании эпитаксиального материала – тонкого слоя кремния с высоким удельным сопротивлением (в котором может быть создана транзисторная структура), выращенного поверх толстого слоя сильно легированного материала

Полевой транзистор. Для изготовления МОП-транзисторов используется высокоомный кремний p- или n-типа. В кремнии p-типа методом диффузии создаются две сильно легированные близлежащие области n-типа. Одна из них, называемая истоком, является входной. Другая – сток – служит выходом. Над узкой промежуто
Слайд 16

Полевой транзистор

Для изготовления МОП-транзисторов используется высокоомный кремний p- или n-типа. В кремнии p-типа методом диффузии создаются две сильно легированные близлежащие области n-типа. Одна из них, называемая истоком, является входной. Другая – сток – служит выходом. Над узкой промежуточной областью наращивается тонкий изолирующий слой (толщиной 200 нм и менее) диоксида кремния. На него наносят слой металла или кремния, который служит управляющим электродом. При подаче на управляющий электрод положительного напряжения возникает сильное электрическое поле, которое притягивает электроны к поверхности кремния, и образуется проводящий канал n-типа, соединяющий исток со стоком. Режим с положительным напряжением называется режимом обогащения. Можно изготавливать приборы, открытые в отсутствие внешнего напряжения. Отрицательное напряжение в них сужает канал и повышает его сопротивление; такой режим называется режимом обеднения. Изготавливаются также транзисторы с каналом p-типа

Тиристоры. Тиристор состоит из двух транзисторов (npn и pnp), расположенных так, что коллектор pnp-части тиристора является базой npn-части, а коллектор npn-части – базой pnp-части. Если инжектировать небольшой ток в базу npn-части, то он создаст для эмиттера прямое смещение, и возникнет ток эмиттер
Слайд 17

Тиристоры

Тиристор состоит из двух транзисторов (npn и pnp), расположенных так, что коллектор pnp-части тиристора является базой npn-части, а коллектор npn-части – базой pnp-части. Если инжектировать небольшой ток в базу npn-части, то он создаст для эмиттера прямое смещение, и возникнет ток эмиттера. Этот ток, собранный коллектором npn-части, становится током базы pnp-части, который вызывает появление тока эмиттера этой части ТРИОДНЫЙ ТИРИСТОР – полупроводниковый прибор, позволяющий преобразовать переменный ток в постоянный.

Тепловые сопротивления (термисторы). Полупроводники: Применение в качестве чувствительных термометров при дистанционных измерениях Использование в качестве термометров для замера температур окружающей среды Термистор(видео – опыт)
Слайд 18

Тепловые сопротивления (термисторы)

Полупроводники: Применение в качестве чувствительных термометров при дистанционных измерениях Использование в качестве термометров для замера температур окружающей среды Термистор(видео – опыт)

Термисторы: широкое применение в технике. применяют как регуляторы температуры, контролирование температуры в большом числе точек в приборах для измерения утечки газа, для дистанционного измерения влажности, для измерения высоких давлений, механических напряжений, скорости или количества протекающих
Слайд 19

Термисторы: широкое применение в технике

применяют как регуляторы температуры, контролирование температуры в большом числе точек в приборах для измерения утечки газа, для дистанционного измерения влажности, для измерения высоких давлений, механических напряжений, скорости или количества протекающих жидкости, скорости движения

Фоторезистор (видео). Когда на транзистор падает свет достаточно большой энергии, т.е. с достаточно малой длиной волны, в нем освобождаются электронно-дырочные пары. Если пары возникают вблизи p-n-перехода с напряжением обратного смещения, они могут диффундировать в область перехода. Один из носител
Слайд 20

Фоторезистор (видео)

Когда на транзистор падает свет достаточно большой энергии, т.е. с достаточно малой длиной волны, в нем освобождаются электронно-дырочные пары. Если пары возникают вблизи p-n-перехода с напряжением обратного смещения, они могут диффундировать в область перехода. Один из носителей может быть ускорен напряжением, имеющимся на переходе, и тогда он приобретает способность освобождать дополнительные заряды в процессах столкновения. В материале n-типа ускоряется дырка, в материале p-типа – электрон. Поскольку заряды несут ток через переход, он возникает и во внешней цепи, т.е. свет преобразуется в электрический ток.

Фоторезистор. Использование: 1. Регистрация и изменения слабых световых потоков. 2. Обнаружение инфракрасных лучей. 3. В автоматических устройствах, служащих для подсчета изделий движущихся на конвейере, контроля их размеров Например, турникет в метро работает именно по такому принципу.
Слайд 21

Фоторезистор

Использование: 1. Регистрация и изменения слабых световых потоков. 2. Обнаружение инфракрасных лучей. 3. В автоматических устройствах, служащих для подсчета изделий движущихся на конвейере, контроля их размеров Например, турникет в метро работает именно по такому принципу.

Вывод. Изучив литературу о полупроводниках, мы пришли в выводу, что полупроводники имеют существенные преимущества над остальными проводящими элементами: Миниатюрность Долговечность Высокая чувствительность Возможность использования источников тока с малым рабочим напряжением Низкое энергопотреблени
Слайд 22

Вывод

Изучив литературу о полупроводниках, мы пришли в выводу, что полупроводники имеют существенные преимущества над остальными проводящими элементами: Миниатюрность Долговечность Высокая чувствительность Возможность использования источников тока с малым рабочим напряжением Низкое энергопотребление Экономичность

Ближайшее будущее полупроводников. Нанотехнологии: На основании вышеприведенных таблиц и графиков можно сделать вывод, что нанотехнологическая промышленность является самой перспективной отраслью на сегодняшний день и находит свое применение практически во всех сферах жизни человека и общества. Несм
Слайд 23

Ближайшее будущее полупроводников

Нанотехнологии: На основании вышеприведенных таблиц и графиков можно сделать вывод, что нанотехнологическая промышленность является самой перспективной отраслью на сегодняшний день и находит свое применение практически во всех сферах жизни человека и общества. Несмотря на бурное развитие биотехнологий, появление биочипов сохранит востребованность очень долго. Именно поэтому, современная, и прежде всего, полупроводниковая, электроника, которую сегодня можно называть наноэлектроникой, является самым мощным потребителем научных исследований, в том числе фундаментальных, и, безусловно, прикладных. Следовательно, необходимо усиленно развивать это направление науки.

Ресурсы. 1. «Основы наноэлектроники» Драгунов В.П. учеб. пособие /В.П. Драгунов, И.П. Неизвестный, В.А. Гридчин. Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2000. 332 с. 2. «Полупроводниковые приборы:» Пасынков В.В. Учебник для вузов /В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин. 6-е изд., стер. СПб.: Лань, 2002. 480 с. 3. «Демонстрац
Слайд 24

Ресурсы

1. «Основы наноэлектроники» Драгунов В.П. учеб. пособие /В.П. Драгунов, И.П. Неизвестный, В.А. Гридчин. Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2000. 332 с. 2. «Полупроводниковые приборы:» Пасынков В.В. Учебник для вузов /В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин. 6-е изд., стер. СПб.: Лань, 2002. 480 с. 3. «Демонстрационный эксперимент по физике в старших классах средней школы» В.А Буров , Б.С. Зворыкин т. II, под редакцией А.А. Покровского, «Просвещение» 1972 год 449 с.

Спасибо за внимание !!!
Слайд 25

Спасибо за внимание !!!

Собственная проводимость полупроводников. Собственная проводимость – проводимость идеальных чистых полупроводников(без примесей) Делится на электронную и дырочную. Электронная проводимость обусловлена наличием свободных электронов Дырочная проводимость обусловлена наличием дырок – вакантное место с
Слайд 26

Собственная проводимость полупроводников

Собственная проводимость – проводимость идеальных чистых полупроводников(без примесей) Делится на электронную и дырочную.

Электронная проводимость обусловлена наличием свободных электронов Дырочная проводимость обусловлена наличием дырок – вакантное место с недостающим электроном

Собственная проводимость возникает в результате перехода электронов с верхних уровней валентной зоны в зону проводимости. При этом в зоне проводимости появляется некоторое число носителей тока – электронов (на уровне вблизи дна зоны); одновременно в валентной зоне освобождается такое же число мест н
Слайд 27

Собственная проводимость возникает в результате перехода электронов с верхних уровней валентной зоны в зону проводимости. При этом в зоне проводимости появляется некоторое число носителей тока – электронов (на уровне вблизи дна зоны); одновременно в валентной зоне освобождается такое же число мест на верхних уровнях, в результате чего появляются дырки.

Примесная проводимость полупроводников. Примесная проводимость возникает, если некоторые атомы данного полупроводника заменить в узлах кристаллической решетки атомами, валентность которых отличается на единицу от валентности основных атомов Изменяя концентрацию примеси, можно значительно изменять чи
Слайд 28

Примесная проводимость полупроводников

Примесная проводимость возникает, если некоторые атомы данного полупроводника заменить в узлах кристаллической решетки атомами, валентность которых отличается на единицу от валентности основных атомов Изменяя концентрацию примеси, можно значительно изменять число носителей заряда того или иного знака. Благодаря этому можно создавать полупроводники с преимущественной концентрацией либо отрицательно, либо положительно заряженных носителей

Донорные примеси При наличии примесей концентрация свободных электронов значительно возрастает и становится в тысячу раз больше концентрации свободных электронов в чистом полупроводнике. Примеси, легко отдающие электроны, называют донорными, и такие полупроводники являются полупроводниками n-типа. В
Слайд 29

Донорные примеси При наличии примесей концентрация свободных электронов значительно возрастает и становится в тысячу раз больше концентрации свободных электронов в чистом полупроводнике. Примеси, легко отдающие электроны, называют донорными, и такие полупроводники являются полупроводниками n-типа. В полупроводнике n-типа электроны являются основными носителями заряда, а дырки — не основными

Акцепторные примеси Для образования нормальных парно-электронных связей с соседями атому, например, индия не достает электрона. В результате образуется дырка. Число дырок в кристалле равно числу атомов примеси. Такого рода примеси называют акцепторными (принимающими). При наличии электрического поля
Слайд 30

Акцепторные примеси Для образования нормальных парно-электронных связей с соседями атому, например, индия не достает электрона. В результате образуется дырка. Число дырок в кристалле равно числу атомов примеси. Такого рода примеси называют акцепторными (принимающими). При наличии электрического поля дырки перемещаются по полю и возникает дырочная проводимость. Полупроводники с преобладанием дырочной проводимости над электронной называют полупроводниками р-типа

Примесные уровни. Полупроводники n-типа. Полупроводники p-типа
Слайд 31

Примесные уровни

Полупроводники n-типа

Полупроводники p-типа

Рис. 1. СХЕМАТИЧЕСКОЕ ИЗОБРАЖЕНИЕ p-n-ПЕРЕХОДА. Это переходная область между полупроводниковыми материалами p-типа и n-типа. Кружками со знаками изображены подвижные носители заряда: электроны (-) и дырки (+), а квадратами – неподвижные ионы в области перехода. p-n-ПЕРЕХОД
Слайд 32

Рис. 1. СХЕМАТИЧЕСКОЕ ИЗОБРАЖЕНИЕ p-n-ПЕРЕХОДА. Это переходная область между полупроводниковыми материалами p-типа и n-типа. Кружками со знаками изображены подвижные носители заряда: электроны (-) и дырки (+), а квадратами – неподвижные ионы в области перехода.

p-n-ПЕРЕХОД

Сверхвысокочастотные приборы. В лавинно-пролетном диоде при лавинном пробое в обратносмещенном p-n-переходе возникают избыточные носители в области дрейфа, т.е. в области, где носители заряда движутся под влиянием приложенного напряжения. Если размер области дрейфа выбран правильно, то избыточные но
Слайд 33

Сверхвысокочастотные приборы

В лавинно-пролетном диоде при лавинном пробое в обратносмещенном p-n-переходе возникают избыточные носители в области дрейфа, т.е. в области, где носители заряда движутся под влиянием приложенного напряжения. Если размер области дрейфа выбран правильно, то избыточные носители проходят ее на протяжении отрицательного полупериода напряжения переменного тока. Далее ток увеличивается при уменьшении напряжения. При этом существует своего рода отрицательная проводимость, которую можно использовать в объемном резонаторе для генерации СВЧ-колебаний

Принцип действия диода Ганна основан на свойстве вызывать замедление электронов в материале при некоторой критической напряженности электрического поля. В соответствии с законом Ома ток при слабых полях пропорционален напряженности поля. Однако при очень сильных полях энергии электронов в полупровод
Слайд 34

Принцип действия диода Ганна основан на свойстве вызывать замедление электронов в материале при некоторой критической напряженности электрического поля. В соответствии с законом Ома ток при слабых полях пропорционален напряженности поля. Однако при очень сильных полях энергии электронов в полупроводниках (GaAs или InP) возрастают до величин, при которых свобода движения электронов в полупроводниковом кристалле ограничивается. Вследствие их пониженной подвижности при превышении напряженностью электрического поля некоторого критического уровня электроны еще более замедляются. Как и в лавинно-пролетном диоде, здесь возникает некоторая разновидность отрицательной проводимости, которую можно использовать для генерации СВЧ-колебаний

Миниатюрность
Слайд 36

Миниатюрность

Долговечность
Слайд 37

Долговечность

Исследование свойств полупроводниковых приборов Слайд: 37
Слайд 38

Список похожих презентаций

Исследование мощности и потребляемой энергии электрических приборов

Исследование мощности и потребляемой энергии электрических приборов

Актуальность:. С повышением цен на энергоносители – т. е. нефть, газ и электричество в нашей стране все дорожает: растут тарифы на электроэнергию, ...
Исследование механических свойств полиэтиленовых пакетов

Исследование механических свойств полиэтиленовых пакетов

Объект исследования: полиэтиленовый пакет. Предмет исследования: механические свойства полиэтиленовых пакетов. Цель : исследование механических свойств ...
Физика полупроводниковых приборов

Физика полупроводниковых приборов

Введение. Светодиодом, или излучающим диодом, называют полупроводниковый прибор на базе p-n или гетероперехода, излучающий кванты света при протекании ...
Вклад М. В. Ломоносова в изобретении и усовершенствование оптических приборов

Вклад М. В. Ломоносова в изобретении и усовершенствование оптических приборов

Введение В истории каждого народа есть великие личности, которые столетиями с неослабной силой привлекают к себе внимание. В русской истории это прежде ...
Устройство увеличительных приборов

Устройство увеличительных приборов

Тема урока: «Устройство увеличительных приборов». Цель урока: изучить материал об истории открытия и устройстве увеличительных приборов; правилах ...
Исследование частиц

Исследование частиц

Методы наблюдения и регистрации элементарных частиц - методы, основанные на свойстве радиоактивных излучений и частиц производить ионизацию атомов. ...
Исследование сил Архимеда

Исследование сил Архимеда

«Дайте мне точку опоры, и я переверну весь мир». Архимед (287 - 212 до н.э.). Закон Архимеда. На тело, погруженное в жидкость или газ, действует выталкивающая ...
Исследование равновесия тел

Исследование равновесия тел

Цели работы:. исследование факторов влияющих на равновесие тела; экспериментальное определение центра тяжести тела. Задачи работы:. разработка методических ...
Исследование опасности электромагнитной волны

Исследование опасности электромагнитной волны

Насколько человек, далёкий от научного мира проблем, действительно знаком с окружающим миром? ? Цель: рассказать о влиянии электромагнитных излучений, ...
Исследование влияния мобильного телефона на человека

Исследование влияния мобильного телефона на человека

Гипотеза. Излучение мобильного телефона оказывает вредное воздействие на организм человека и многие об этом не задумываются. Цель. изучить степень ...
Исследование биполярного транзистора в различных схемах включения

Исследование биполярного транзистора в различных схемах включения

Цель. Собрать два лабораторных стенда К87L01 для проведения лабораторных работ по дисциплине электроника и импульсная техника. Актуальность. Актуальность ...
Исследование баллистического движения

Исследование баллистического движения

Введение. Баллистика - важная и древняя наука, она применяется в военном деле и в криминалистике. Вместе с этим, она интересна с точки зрения связи ...
Исследование баланса энергии в ионном ускорителе ТЕМП - 4М

Исследование баланса энергии в ионном ускорителе ТЕМП - 4М

Актуальность. Радиационно-пучковое модифицирование мощными ионными пучками позволяет получать в поверхностных слоях материалов составы и структуры, ...
Использование магнитных свойств вещества

Использование магнитных свойств вещества

Во время взаимодействия вещества с магнитным полем изменяются не талько магнитные, но и другие его свойства. Явление усиления магнитного поля ферромагнетиками ...
Интегрированный урок по теме: "Исследование графика движения тела"

Интегрированный урок по теме: "Исследование графика движения тела"

Построить графики зависимости скорости и ускорения от времени. Y = kx K>0 Y = kx + b K = 0 Y = b Y = kx + b k 0 Y=-b Y=ax² a>0 Y=a(x-m)²+n a0 n>0 ...
Исследование мощности человека в зависимости от его физических возможностей

Исследование мощности человека в зависимости от его физических возможностей

Цель:. выяснить зависимость мощности организма человека от его физических особенностей. Задачи:. рассчитать мощность, развиваемую человеком при прыжке; ...
Исследование возможности воздействия лазерного и ультрафиолетового излучения на всхожесть и урожайность растений

Исследование возможности воздействия лазерного и ультрафиолетового излучения на всхожесть и урожайность растений

В настоящее время главная задача - повышение урожайности культур за счет рационального использования посевных угодий и получение экологически чистых ...
Исследование потерь в изогнутых оптических волокнах

Исследование потерь в изогнутых оптических волокнах

Потери в ОВ. Качественное представление сдвигов поля основной моды. Характеристики некоторых ОВ. Результаты расчета коэффициента затухания изогнутого ...
Исследование времени остывания чашки горячих напитков

Исследование времени остывания чашки горячих напитков

Актуальность. Употребление человеком пищи является одним из важнейших источников пополнения внутренней энергии. Совершение любой работы сопровождается ...
Исследование расчета потерь мощности в линиях электропередач Нерюнгри - Алдан

Исследование расчета потерь мощности в линиях электропередач Нерюнгри - Алдан

Цель работы: Исследовать потери мощности в линиях электропередач на трассе Нерюнгри – Алдан Задачи: Расчитать потери мощности в линиях электропередач ...

Конспекты

Исследование свойств магнитного поля

Исследование свойств магнитного поля

Урок-практикум: «Исследование свойств магнитного поля». . (урок совершенствования знаний, формирование умений и навыков). Цели:. Обобщить знания ...
Плавание тел. Исследование условий плавания тел

Плавание тел. Исследование условий плавания тел

Тема: Плавание тел. Исследование условий плавания тел. Цель:. - Познакомить учащихся с условиями плавания тел, формировать умения объяснять поведение ...
Исследование природных источников энергии

Исследование природных источников энергии

Муниципальное общеобразовательное учреждение средняя общеобразовательная школа № 22. Курского муниципального района Ставропольского края. ...
Исследование последовательного и параллельного соединения проводников

Исследование последовательного и параллельного соединения проводников

Разработка урока. «Исследование последовательного и параллельного соединения проводников». Выполнила Мидонова Е.А. МОУ СОШ № 23. . Советского ...
Исследование последовательного соединения проводников

Исследование последовательного соединения проводников

Урок физики в 8 классе. Тема урока: "Исследование последовательного соединения проводников". Цель урока: . установить взаимосвязь между электрическими ...
Исследование морских глубин

Исследование морских глубин

Тема: Исследование морских глубин. Зачёт «подводника». Определить по графику глубину погружения тела в озеро, соответствующую давлению воды: ...
Исследование первого закона термодинамики к различным изопроцессам

Исследование первого закона термодинамики к различным изопроцессам

Открытый урок по физике в 10 классе. Тема урока. «Исследование первого закона термодинамики к различным изопроцессам». Тип урока –. интегрированный, ...
Исследование колебательных систем

Исследование колебательных систем

Лабораторная работа «Исследование колебательных систем». . с использованием средств мультимедийных технологий. Актуальность использования мультимедийных ...
Исследование зависимости силы трения от силы нормального давления

Исследование зависимости силы трения от силы нормального давления

В примерной программе по физике есть лабораторная работа "Исследование зависимости силы трения от силы нормального давления". В учебнике "Физика-7" ...
Исследование зависимости силы тока от напряжения. Сопротивление проводника

Исследование зависимости силы тока от напряжения. Сопротивление проводника

Муниципальное общеобразовательное учреждение. «Ялгинская средняя общеобразовательная школа». Городского округа Саранск Республики Мордовия. ...

Советы как сделать хороший доклад презентации или проекта

  1. Постарайтесь вовлечь аудиторию в рассказ, настройте взаимодействие с аудиторией с помощью наводящих вопросов, игровой части, не бойтесь пошутить и искренне улыбнуться (где это уместно).
  2. Старайтесь объяснять слайд своими словами, добавлять дополнительные интересные факты, не нужно просто читать информацию со слайдов, ее аудитория может прочитать и сама.
  3. Не нужно перегружать слайды Вашего проекта текстовыми блоками, больше иллюстраций и минимум текста позволят лучше донести информацию и привлечь внимание. На слайде должна быть только ключевая информация, остальное лучше рассказать слушателям устно.
  4. Текст должен быть хорошо читаемым, иначе аудитория не сможет увидеть подаваемую информацию, будет сильно отвлекаться от рассказа, пытаясь хоть что-то разобрать, или вовсе утратит весь интерес. Для этого нужно правильно подобрать шрифт, учитывая, где и как будет происходить трансляция презентации, а также правильно подобрать сочетание фона и текста.
  5. Важно провести репетицию Вашего доклада, продумать, как Вы поздороваетесь с аудиторией, что скажете первым, как закончите презентацию. Все приходит с опытом.
  6. Правильно подберите наряд, т.к. одежда докладчика также играет большую роль в восприятии его выступления.
  7. Старайтесь говорить уверенно, плавно и связно.
  8. Старайтесь получить удовольствие от выступления, тогда Вы сможете быть более непринужденным и будете меньше волноваться.

Информация о презентации

Ваша оценка: Оцените презентацию по шкале от 1 до 5 баллов
Дата добавления:5 Января 2019
Категория:Физика
Содержит:38 слайд(ов)
Поделись с друзьями:
Скачать напрямую
Смотреть советы по подготовке презентации