- Полупроводники и их свойства

Презентация "Полупроводники и их свойства" по физике – проект, доклад

Слайд 1
Слайд 2
Слайд 3
Слайд 4
Слайд 5
Слайд 6
Слайд 7
Слайд 8
Слайд 9
Слайд 10
Слайд 11
Слайд 12
Слайд 13
Слайд 14
Слайд 15
Слайд 16
Слайд 17
Слайд 18
Слайд 19
Слайд 20
Слайд 21
Слайд 22
Слайд 23

Презентацию на тему "Полупроводники и их свойства" можно скачать абсолютно бесплатно на нашем сайте. Предмет проекта: Физика. Красочные слайды и иллюстрации помогут вам заинтересовать своих одноклассников или аудиторию. Для просмотра содержимого воспользуйтесь плеером, или если вы хотите скачать доклад - нажмите на соответствующий текст под плеером. Презентация содержит 23 слайд(ов).

Слайды презентации

ПОЛУПРОВОДНИКИ
Слайд 1

ПОЛУПРОВОДНИКИ

Полупроводники Полупроводниковый диод Рекомбинация Собственная проводимость Проводники IV группы Решетка германия Примеси Сильно легированные полупроводники Фотопроводимость полупроводников Прохождение быстрых частиц через полупроводники Диффузия носителей Термоэлектрические явления в полупроводника
Слайд 2

Полупроводники Полупроводниковый диод Рекомбинация Собственная проводимость Проводники IV группы Решетка германия Примеси Сильно легированные полупроводники Фотопроводимость полупроводников Прохождение быстрых частиц через полупроводники Диффузия носителей Термоэлектрические явления в полупроводниках P-N переход

Полупроводники - вещества, электропроводность которых при комнатной температуре имеет промежуточное значение между электропроводностью металлов (106 — 104 Ом-1 см-1) и диэлектриков (10-8 — 10-12 Ом-1 см-1). Характерная особенность полупроводников — возрастание электропроводности с ростом температуры
Слайд 3

Полупроводники - вещества, электропроводность которых при комнатной температуре имеет промежуточное значение между электропроводностью металлов (106 — 104 Ом-1 см-1) и диэлектриков (10-8 — 10-12 Ом-1 см-1). Характерная особенность полупроводников — возрастание электропроводности с ростом температуры; при низких температурах электропроводность полупроводников мала; на нее влияют и другие внешние воздействия: свет, сильное электрическое поле, потоки быстрых частиц и т. д. Высокая чувствительность электрических и оптических свойств к внешним воздействиям и содержанию примесей и дефектов в кристаллах также характерна для полупроводников. Все эти особенности и определяют их широкое применение в технике. К полупроводникам относится большая группа веществ (Si, Ge и др.). Носителями заряда в полупроводниках являются электроны проводимости и дырки (носители положительного заряда). В идеальных кристаллах они появляются всегда парами, так что концентрации обоих типов носителей равны. В реальных кристаллах, содержащих примеси и дефекты структуры, равенство концентраций электронов и дырок может нарушаться и проводимость осуществляется практически только одним типом носителей. Полное описание природы носителей заряда в полупроводниках и законов их движения дается в квантовой теории твердого тела.

Полупроводниковый диод - полупроводниковый прибор с двумя электродами, обладающий односторонней проводимостью. К полупроводниковым диодам относят обширную группу приборов с p-n-переходом, контактом металл — полупроводник и др. Наиболее распространены электропреобразовательные полупроводниковые диоды
Слайд 4

Полупроводниковый диод - полупроводниковый прибор с двумя электродами, обладающий односторонней проводимостью. К полупроводниковым диодам относят обширную группу приборов с p-n-переходом, контактом металл — полупроводник и др. Наиболее распространены электропреобразовательные полупроводниковые диоды. Они служат для преобразования и генерирования электрических колебаний. Это один из основных современных электронных приборов.

Рекомбинация - электронов и дырок в полупроводниках, исчезновение пары электрон проводимости - дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону. Избыток энергии может выделяться в виде излучения (излучательная Р.). Возможна также безызлучательная Р., при которой энергия ра
Слайд 5

Рекомбинация - электронов и дырок в полупроводниках, исчезновение пары электрон проводимости - дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону. Избыток энергии может выделяться в виде излучения (излучательная Р.). Возможна также безызлучательная Р., при которой энергия расходуется на возбуждение колебаний кристаллической решётки или передаётся свободным носителям тока при тройных столкновениях (ударная Р.). Р. может происходить как при непосредственном столкновении электронов и дырок, так и через примесные центры (центры Р.), когда электрон сначала захватывается из зоны проводимости на примесной уровень в запрещенной зоне, а затем уже переходит в валентную зону. Скорость Р. (число актов Р. в единицу времени) определяет концентрацию неравновесных носителей тока, создаваемых внешним воздействием (светом, быстрыми заряженными частицами и т. п.), а также время восстановления равновесной концентрации после выключения этого воздействия. Излучательная Р. проявляется в люминесценции кристаллов и лежит в основе действия лазеров и светоэлектрических диодов.

Собственная проводимость. Собственная проводимость возникает в результате перехода электронов с верхних уровней валентной зоны в зону проводимости. При этом в зоне проводимости появляется некоторое число носителей тока — электронов, занимающих уровни вблизи дна зоны; одновременно в валентной зоне ос
Слайд 6

Собственная проводимость. Собственная проводимость возникает в результате перехода электронов с верхних уровней валентной зоны в зону проводимости. При этом в зоне проводимости появляется некоторое число носителей тока — электронов, занимающих уровни вблизи дна зоны; одновременно в валентной зоне освобождается такое же число мест на верхних уровнях. Такие свободные от электронов места на уровнях заполненной при абсолютном нуле валентной зоны называют дырками. Распределение электронов по уровням валентной зоны и зоны проводимости определяется функцией Ферми. Вычисления показывают, что уровень Ферми лежит точно посредине запрещенной зоны (рис.1). Следовательно, для электронов, перешедших в зону проводимости, величина W—WF мало отличается от половины ширины запрещенной зоны. Уровни зоны проводимости лежат на хвосте кривой распределения. Если на графике откладывать зависимость 1n σ от 1/T, то для полупроводников получается прямая линия, изображенная на рис. 2. По наклону этой прямой можно определить ширину запрещенной зоны ΔW.

Типичными полупроводниками являются элементы IV группы периодической системы Менделеева — германий и кремний. Они образуют решетку, в которой каждый атом связан ковалентными (парно-электронными) связями с четырьмя равноотстоящими от него соседними атомами. Условно такое взаим­ное расположение атомов
Слайд 7

Типичными полупроводниками являются элементы IV группы периодической системы Менделеева — германий и кремний. Они образуют решетку, в которой каждый атом связан ковалентными (парно-электронными) связями с четырьмя равноотстоящими от него соседними атомами. Условно такое взаим­ное расположение атомов можно представить в виде плоской структуры, изображенной на рис. 3. Кружки со знаком «+» обозначают положительно заря­женные атомные остатки (т. е. ту часть атома, ко­торая остается после удаления валентных электронов), кружки со знаком «—» — валентные электроны, двойные линии — ковалентные связи. При достаточно высокой температуре тепловое движение может разорвать отдельные пары, освободив один электрон (такой случай показан на рис. 3). . Покинутое электроном место перестает быть нейтральным, в его окрестности возникает избыточный положи­тельный заряд + е — образуется дырка. На это место может перескочить электрон одной из соседних пар. В результате дырка начинает также странствовать по кристаллу, как и освободившийся электрон.

На рис. 4 условно изображена решетка германия с примесью 5-валентных атомов фосфора. Для образования ковалентных связей с соседями атому фосфора достаточно четырех электронов. Следовательно, пятый валентный электрон оказывается как бы лишним и легко отщепляется от атома за счет энергии теплового дви
Слайд 8

На рис. 4 условно изображена решетка германия с примесью 5-валентных атомов фосфора. Для образования ковалентных связей с соседями атому фосфора достаточно четырех электронов. Следовательно, пятый валентный электрон оказывается как бы лишним и легко отщепляется от атома за счет энергии теплового движения, образуя странствующий свободный электрон. В отличие от рассмотренного раньше случая образование свободного электрона не сопровождается нарушением ковалентных связей, т. е. образованием дырки. Хотя в окрестности атома примеси возникает избыточный положительный заряд, но он связан с этим атомом и перемещаться по решетке не может. Благодаря этому заряду атом примеси может захватить приблизившийся к нему электрон, но связь захваченного электрона с атомом будет непрочной и легко нарушается вновь за счет тепло­вых колебаний решетки. Таким образом, в полупроводнике с 5-валентной примесью имеется только один вид носителей тока — электроны. Соответственно говорят, что такой полупро­водник обладает электронной проводимостью или является полупроводником n-типа (от слова negativ — отрицательный). Атомы примеси, поставляющие электроны проводимости, называются д о н о р а м и.

Примеси искажают поле решетки, что приводит к возникновению на энергетической схеме так называемых локальных уровней, расположенных в запрещенной зоне кристалла (рис. 5). Любой уровень валентной зоны или зоны проводимости может быть занят электроном, находящимся в любом месте кристалла.
Слайд 9

Примеси искажают поле решетки, что приводит к возникновению на энергетической схеме так называемых локальных уровней, расположенных в запрещенной зоне кристалла (рис. 5). Любой уровень валентной зоны или зоны проводимости может быть занят электроном, находящимся в любом месте кристалла.

При больших концентрациях примесей или дефектов проявляется их взаимодействие, ведущее к качественным изменениям свойств П. Это можно наблюдать в сильно легированных П., содержащих примеси в столь больших концентрациях Nпр, что среднее расстояние между ними, пропорциональное N1/3пр, становится меньш
Слайд 15

При больших концентрациях примесей или дефектов проявляется их взаимодействие, ведущее к качественным изменениям свойств П. Это можно наблюдать в сильно легированных П., содержащих примеси в столь больших концентрациях Nпр, что среднее расстояние между ними, пропорциональное N1/3пр, становится меньше (или порядка) среднего расстояния а, на котором находится от примеси захваченный ею электрон или дырка. В таких условиях носитель вообще не может локализоваться на каком-либо центре, т.к. он всё время находится на сравнимом расстоянии сразу от нескольких одинаковых примесей. Более того, воздействие примесей на движение электронов вообще мало, т.к. большое число носителей со знаком заряда, противоположным заряду примесных ионов, экранируют (т. е. существенно ослабляют) электрическое поле этих ионов. В результате все носители, вводимые с этими примесями, оказываются свободными даже при самых низких температурах. Условие сильного легирования: ×a ~ 1, легко достигается для примесей, создающих уровни с малой энергией связи (мелкие уровни). Например, в Ge и Si, легированных примесями элементов III или V групп, это условие выполняется уже при Nпр ~ 1018-1019 см-3 в то время как удаётся вводить эти примеси в концентрациях вплоть до Nпр ~ 1021 см-3 при плотности атомов основного вещества ~ 5×1022 см-3. В П. AIVBV практически всегда с большой концентрацией (³ 1017-1018 см-3) присутствуют вакансии одного из компонентов, а энергии связи носителей с этими вакансиями малы, так что условие a > 1 практически всегда выполнено.

Фотопроводимость полупроводников - увеличение электропроводности П. под действием света; как правило, обусловлена появлением дополнительных неравновесных носителей в результате поглощения электронами квантов света с энергией, превышающей энергию их связи. Различают собственную и примесную фотопровод
Слайд 16

Фотопроводимость полупроводников - увеличение электропроводности П. под действием света; как правило, обусловлена появлением дополнительных неравновесных носителей в результате поглощения электронами квантов света с энергией, превышающей энергию их связи. Различают собственную и примесную фотопроводимости. В первом случае фотон поглощается валентным электроном, что приводит к рождению пары электрон - дырка. Очевидно, такой процесс может происходить под действием света с длиной волны, соответствующей области собственного поглощения П.: w³ DE. Пары электрон - дырка могут создаваться и фотонами с энергией, несколько меньшей DE, т.к. возможны процессы, в которых электрон, поглощая фотон, получает дополнительную энергию за счёт теплового движения (кристаллической решётки или от равновесного носителя тока), например энергия w достаточна для создания экситона, который затем под действием теплового движения распадается на свободные электрон и дырку. Под действием существенно более длинноволнового света фотопроводимость возникает только при наличии примесей, создающих локальные уровни в запрещенной зоне, и связана с переходом электрона либо с локального уровня в зону проводимости, либо из валентной зоны на локальный уровень примеси (рождение дырки). Явление фотопроводимости позволяет за короткое время (~ мксек или ~ нсек)изменять электропроводность П. в очень широких пределах, а также даёт возможность создавать высокие концентрации носителей тока в П., в которых из-за относительно большой DE и отсутствия подходящих примесей не удаётся получить заметных равновесных концентраций носителей. Использование фотопроводимости П. с разными DE и глубиной примесных уровней (Si, Te, InSb, PbS, CdS, РЬТе, Ge, легированный Zn или Au и т.д.) позволяет создавать высокочувствительные приёмники света для различных областей спектра от далёкой инфракрасной до видимой

Прохождение быстрых частиц через полупроводники. Значит. доля энергии частицы (~30%) при этом тратится в конечном счёте на создание электронно-дырочных пар, число которых, т. о., порядка отношения DE к энергии частицы. Для частиц с энергиями от 10 кэв до 10 Мэв это отношение ~104- 107. Явление может
Слайд 17

Прохождение быстрых частиц через полупроводники. Значит. доля энергии частицы (~30%) при этом тратится в конечном счёте на создание электронно-дырочных пар, число которых, т. о., порядка отношения DE к энергии частицы. Для частиц с энергиями от 10 кэв до 10 Мэв это отношение ~104- 107. Явление может использоваться для счёта и измерения энергии быстрых частиц

С понятием подвижности связано понятие коэффициента диффузии D носителей, хаотичность движения которых в отсутствие поля создаёт тенденцию к равномерному распределению их в объёме П., т. е. к выравниванию их концентрации. Если в образце П. есть области повышенной и пониженной концентраций, то в нём
Слайд 18

С понятием подвижности связано понятие коэффициента диффузии D носителей, хаотичность движения которых в отсутствие поля создаёт тенденцию к равномерному распределению их в объёме П., т. е. к выравниванию их концентрации. Если в образце П. есть области повышенной и пониженной концентраций, то в нём возникает "перетекание" носителей, т.к. число частиц, уходящих из любой области в результате хаотического движения, пропорционально числу частиц, находящихся в ней, а число приходящих - пропорционально числу частиц в соседних с ней областях. Диффузионные потоки jд, выравнивающие концентрации n, пропорциональны интенсивности теплового движения и перепаду концентраций и направлены в сторону её уменьшения: jд = - Dgradn. (13) Это равенство определяет понятие коэфициента диффузии D, который связан с подвижностью m универсальным (если носители тока не вырождены) соотношением Эйнштейна: D = kTm/e, (14) которое, в частности, отражает связь диффузии с интенсивностью теплового движения. Для неравновесных носителей важной характеристикой является длина диффузии lд - путь, который они успевают пройти диффузионным образом за время своей жизни t: lд= . (15) Величина lд может быть различной, достигая в чистых П. с большой подвижностью 0,1 см

Возможности использования термоэлектрических явлений в П. перспективны для прямого преобразования тепловой энергии в электрическую, а также для охлаждения. Полупроводниковые термоэлементы позволяют получать кпд преобразования ~10% или охлаждение до 230 К. Причиной больших (на несколько порядков боль
Слайд 19

Возможности использования термоэлектрических явлений в П. перспективны для прямого преобразования тепловой энергии в электрическую, а также для охлаждения. Полупроводниковые термоэлементы позволяют получать кпд преобразования ~10% или охлаждение до 230 К. Причиной больших (на несколько порядков больших, чем в металлах) величин термоэдс и коэффициентов Пельтье в П. является относительная малость концентрации носителей. Электрон, переходя со дна зоны проводимости Ec на уровень Ферми EF металла, находящегося в контакте с данным П., выделяет энергию (теплоту Пельтье) П = Ec - EF или поглощает её при обратном переходе. С термодинамической точки зрения EF есть химический потенциал электронов и поэтому он должен быть одинаков по обе стороны контакта. В П. в области примесной проводимости величина П = Ec - EF определяется условием: n = Nd - Na. При не слишком высокой концентрации примесей она оказывается большой (П = Ec - EF >> kT) и относительно быстро возрастающей с ростом температуры, что обеспечивает большие значения П и термоэдс а, связанной с П соотношением: П = aТ. В металлах EF лежит глубоко в разрешенной зоне и из-за очень сильного вырождения в переносе тока принимают участие лишь электроны с энергиями очень близкими к EF. Среднее изменение энергии электрона при прохождении контакта двух металлов оказывается поэтому очень малым: П ~ kT.

Выпрямление токов и усиление напряжений можно осуществить с помощью полупроводниковых устройств, называемых полупроводниковыми (или кристаллически­ми) диодами и триодами. Полупроводниковые триоды называют также транзисторами. Полупроводниковые устройства можно подразделить на две группы: устройства
Слайд 20

Выпрямление токов и усиление напряжений можно осуществить с помощью полупроводниковых устройств, называемых полупроводниковыми (или кристаллически­ми) диодами и триодами. Полупроводниковые триоды называют также транзисторами. Полупроводниковые устройства можно подразделить на две группы: устройства с точечными контактами и устройства с плоскостными контактами. Мы ограничимся рассмотрением плоскостных диодов и транзисторов. Основным элементом плоскостных устройств являет­ся так называемый р—n-переход. Он представляет собой тонкий слой на границе между двумя областями одного и того же кристалла, отличающимися типом примесной проводимости. Для изготовления такого перехода берут, например, монокристалл из очень чистого германия с электронным механизмом проводимости (обусловленным ничтожными остатками примесей). В вырезанную из кристалла тонкую пластинку вплавляют с одной стороны кусочек индия. Во время этой операции, которая осуществля­ется в вакууме или в атмос­фере инертного газа, атомы индия диффундируют в герма­ний на некоторую глубину. В той области, в которую проникают атомы индия, проводимость германия становится дырочной. На границе этой области возникает р— n-переход. На рис. 8 показан ход концентрации примесей в направлении, перпендикулярном к граничному слою. В р-области основными носителями тока являются дырки,

образовавшиеся в результате захвата электронов атомами примеси (акцепторы при этом становятся отрицательными ионами); кроме того, в этой области имеется небольшое число неосновных носителей — электронов, возникающих вследствие перевода тепловым движением электронов из валентной зоны непосредственно
Слайд 21

образовавшиеся в результате захвата электронов атомами примеси (акцепторы при этом становятся отрицательными ионами); кроме того, в этой области имеется небольшое число неосновных носителей — электронов, возникающих вследствие перевода тепловым движением электронов из валентной зоны непосредственно в зону проводимости (этот процесс немного увеличивает и число дырок). В n-области основные носители тока — электроны, отданные донорами в зону проводимости (доноры при этом превращаются в положительные ионы); происходящий за счет теплового движения переход электронов из валентной зоны в зону проводимости приводит к образованию небольшого числа, дырок — неосновных носителей для этой области. Диффундируя во встречных направлениях через по­граничный слой, дырки и электроны рекомбинируют друг другом. Поэтому р—n-переход оказывается сильно обедненным носителями тока и приобретает большое сопротивление. Одновременно на границе между областями возникает двойной электрический слой, образованный отрицательными ионами акцепторной примеси, заряд которых теперь не компенсируется дырками, и положительными ионами- донорной примеси, заряд ко­торых теперь не компен­сируется электронами (рис 9; кружки—ионы, черные течки — электроны, белые точки—дырки) .

Список похожих презентаций

Аномальные свойства воды

Аномальные свойства воды

Аномальные свойства воды. Удивительное вещество. Исследуя воду и, особенно ее водные растворы, ученые раз за разом убеждались, что вода обладает ненормальными ...
Физико-химические свойства огнеупоров

Физико-химические свойства огнеупоров

2. Прочностные свойства 2.1 Механическая прочность Огнеупоры при комнатной температуре характеризуется хрупким разрушением при сжатии. В качестве ...
Электромагнитные волны и их свойства

Электромагнитные волны и их свойства

Электромагнитные волны - электромагнитные колебания, распространяющиеся в пространстве с конечной скоростью. шкала электромагнитных волн. Вся шкала ...
Удивительные свойства воды

Удивительные свойства воды

Картины Айвазовского. фотофото. Фотосессия капельки. Великая тайна воды. Поскольку вода составляет основу всех живых объектов, она и есть главный ...
Уравнение Максвелла и его свойства

Уравнение Максвелла и его свойства

. . . . Рассмотрим цепь переменного тока, содержащую плоский конденсатор. . . . - Закон полного тока. . . . Закон полного тока. Теорема Гаусса. . ...
Радиация и ее свойства

Радиация и ее свойства

Радиация. Альфа- излучения- состоят из альфа частиц(ядер гелия).Эти частицы распространяются на расстояния не более 10 см. Они полностью поглощаются ...
Сила трения и её полезные свойства

Сила трения и её полезные свойства

Аннотация. Данный проект даёт чёткое представление о силе трения, её видах, полезных свойствах и примененияи её в нашей жизни. Цель: исследовать факторы, ...
Магнитное поле и его свойства

Магнитное поле и его свойства

Девиз урока: «Скажи мне - и я забуду, покажи мне - и я запомню, вовлеки меня - и я научусь». Образовательные цели урока: проследить историю развития ...
Магнитные свойства вещества

Магнитные свойства вещества

Гипотеза Ампера Андре Ампер. Магнитные свойства любого тела определяются замкнутыми электрическими токами внутри него. Магнитные взаимодействия – ...
Квантовые свойства света

Квантовые свойства света

Компьютерным вирусом называется программа, способная создавать свои копии (не обязательно полностью совпадающие с оригиналом) и внедрять их в различные ...
Квантовые свойства света

Квантовые свойства света

Формула Планка: Е = h ν. Постоянная Планка. h = 6, 626 * 10 – 34 Дж c. Фотоэффект. выбивание электронов из металла частицами света – фотонами (квантами, ...
Волновые и квантовые свойства света

Волновые и квантовые свойства света

17 век Две теории света:. Корпускулярная Свет – это поток частиц (корпускул), идущих от источника света. Сторонник теории: Исаак Ньютон. Волновая ...
Водяной пар и его свойства

Водяной пар и его свойства

Сублимацией (возгонкой) называется процесс перехода вещества из твердого состояния в газообразное. Обратный процесс перехода газа в твердое состояние ...
Виды излучений и их свойства

Виды излучений и их свойства

Содержание. Виды излучений. Свойства. Применение. Виды излучений. В настоящее время мы знаем 6 видов излучения - гамма-излучение, рентгеновское излучение, ...
Основные свойства воздуха

Основные свойства воздуха

Воздух прозрачный и бесцветный. Голубое небо – толстый слой воздуха, освещённый солнцем. Атмосфера Земли – вид из космоса. Прозрачный воздух пропускает ...
Магнитные свойства вещества

Магнитные свойства вещества

Экспериментальные исследования показали, что все вещества в большей или меньшей степени обладают магнитными свойствами. Индукция магнитного поля, ...
Полупроводники

Полупроводники

Содержание. Проводники, диэлектрики и полупроводники. Собственная (электронно-дырочная) электрическая проводимость. Примесная (электронно-дырочная) ...
Магнитные свойства вещества

Магнитные свойства вещества

Согласно гипотезе Ампера в любом теле существуют микротоки, обусловленные движением электронов Вс –собственное магнитное поле Во – внешнее магнитное ...
Сила трения - причины и свойства

Сила трения - причины и свойства

Сила, возникающая при движении одного тела по поверхности другого направленная в сторону противоположную движению. Сила трения обозначается буквой ...
Магнитные свойства вещества

Магнитные свойства вещества

Намагничивание вещества. Магнитное поле создается не только электрическими токами, но и постоянным магнитами. Постоянные магниты могут быть изготовлены ...

Конспекты

Электромагниты, их свойства и применение

Электромагниты, их свойства и применение

Урок по теме: Электромагниты, их свойства и применение. План-конспект урока. Цель урока. : актуализировать знания  . об устройстве и принципе ...
Общие свойства металлов

Общие свойства металлов

Орлова Ольга Дмитриевна. . Аннотация. . Урок по теме «Общие свойства металлов». (9 класс, тема 5. «Общие свойства металлов»; программа курса ...
Электромагниты, их свойства и применение

Электромагниты, их свойства и применение

Электромагниты, их свойства и применение. Конспект деловой игры для 8 класса. Ц е л ь у р о к а: Продолжить развитие навыков самостоятельной работы ...
Магнитное поле, его свойства

Магнитное поле, его свойства

Магнитное поле, его свойства. Цели урока:. - повторение, углубление и систематизация имеющихся у учащихся сведений о магнитных явлениях и магнитном ...
Квантово - волновой дуализм или волновые и квантовые свойства света и вещества

Квантово - волновой дуализм или волновые и квантовые свойства света и вещества

Урок – семинар. Орлова Н.Г. – учитель физики МБОУ «Тучковская СОШ №3». Тема урока:. « Квантово - волновой дуализм или волновые и квантовые свойства ...
Волновые свойства света

Волновые свойства света

Урок физики в 11 классе в разделе «Оптика». Тема:. «Волновые свойства света». Цели:. 1. Познавательная: при помощи физического эксперимента познакомить ...
Волновые и квантовые свойства света

Волновые и квантовые свойства света

ФИЗИКА. Открытый урок по теме:. “Волновые и квантовые свойства света”. . . (обобщающий урок). Урок проводился для учителей города Курска. ...
Вода и ее свойства

Вода и ее свойства

. МУНИЦИПАЛЬНОЕ ОБЩЕОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ «СРЕДНЯЯ ОБЩЕОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ ШКОЛА №12 ЗАТО ШИХАНЫ САРАТОВСКОЙ ОБЛАСТИ». Конспект. ...

Советы как сделать хороший доклад презентации или проекта

  1. Постарайтесь вовлечь аудиторию в рассказ, настройте взаимодействие с аудиторией с помощью наводящих вопросов, игровой части, не бойтесь пошутить и искренне улыбнуться (где это уместно).
  2. Старайтесь объяснять слайд своими словами, добавлять дополнительные интересные факты, не нужно просто читать информацию со слайдов, ее аудитория может прочитать и сама.
  3. Не нужно перегружать слайды Вашего проекта текстовыми блоками, больше иллюстраций и минимум текста позволят лучше донести информацию и привлечь внимание. На слайде должна быть только ключевая информация, остальное лучше рассказать слушателям устно.
  4. Текст должен быть хорошо читаемым, иначе аудитория не сможет увидеть подаваемую информацию, будет сильно отвлекаться от рассказа, пытаясь хоть что-то разобрать, или вовсе утратит весь интерес. Для этого нужно правильно подобрать шрифт, учитывая, где и как будет происходить трансляция презентации, а также правильно подобрать сочетание фона и текста.
  5. Важно провести репетицию Вашего доклада, продумать, как Вы поздороваетесь с аудиторией, что скажете первым, как закончите презентацию. Все приходит с опытом.
  6. Правильно подберите наряд, т.к. одежда докладчика также играет большую роль в восприятии его выступления.
  7. Старайтесь говорить уверенно, плавно и связно.
  8. Старайтесь получить удовольствие от выступления, тогда Вы сможете быть более непринужденным и будете меньше волноваться.