Презентация "Компоненты компьютерной архитектуры." по информатике – проект, доклад

Компоненты компьютерной архитектуры.

Оперативная память.

- энергозависимая часть системы компьютерной памяти, в которой временно хранятся данные и команды, необходимые процессору для выполнения им операции.

Оперативная память

При подаче напряжения на затвор транзистора он переходит в открытое состояние и конденсатор подключается к линии столбцов. В результате происходит разряд конденсатора и заряд, хранящийся на конденсаторе данной ячейки, поступает в особый статический буфер, называемый усилителем уровня (Sense Amplifier), который установлен на выходе линии столбца

RAS# (Row Access Strobe) — это сигнал выбора строки. CAS# (Column Access Strobe) — сигнал выбора столбца. В случае если доступ к ячейке памяти не осуществляется, поддерживается высокий уровень сигналов RAS# и CAS#, что говорит об отсутствии информации на адресной шине. WE# (Write Enable) — спец.сигнал. Если этот сигнал поддерживается на высоком уровне, то реализуется операция чтения, а если он переводится в низкий уровень, то реализуется операция записи.

Блок регенерации определяет: когда происходит чтение данных и надо провести регенерацию ячейки, из которой данные были считаны; когда происходит запись данных, а, следовательно, регенерацию ячейки производить не надо.

*DDR = Double Data Rate SDRAM *SDRAM = Synchronous Dynamic Random Access Memory

Основные характеристики

Объем оперативной памяти Частота оперативной памяти Пропускная способность Тайминги оперативной памяти CAS Latency RAS to CAS Delay RAS Precharge Time RAM Cycle Time Напряжение Производитель

Пропускная способность (важнейшая характеристика модулей памяти) = разрядность шины данных (количество бит, обрабатываемых процессором за один такт) * частота операций записи/считывания информации из ячеек.

Маркировка пропускной способности модулей памяти: PC3200 (3200Мбайт/с), PC8500 (8500Мбайт/с)

Разрядность шины данных = 64 бит Частота шины данных = частота системной шины = 1064МГц Пропускная способность = 64бит * 1064МГЦ=68096Мбит/с=8512Мбайт/с

Физическая память – модули оперативной памяти на системной плате

Виртуальная память – область на жестком диске (файл подкачки)

Добавляется для увеличения объема памяти, используемых программами

DDR3 RAM 2Гб Goodram (1600МГц CL9 (9-11-11-29) 1.5V) DDR3 – тип ОЗУ RAM 2Гб. – объём оперативной памяти Goodram – производитель 1600 МГц – частота CL9 (9-11-11-29) – тайминги (задержки) 1.5 V – рабочее напряжение

DIMM DDR2 2048MB PC6400 800MHz Kingston Форм-фактор памяти: DIMM Объем памяти: 2Гб Пропускная способность: 6400 Мб/с Тактовая частота: 800 MHz Производитель: Kingston

DIMM DDR3 8192MB PC10600 1333MHz Corsair XMS3 9-9-9-24; DIMM DDR3 8192MBx2 PC12800 1600MHz Kingston HyperX CL10-10-10; SODIMM DDR3 2048MB PC10600 1333MHz Kingston; DIMM DDR2 1024MB PC6400 800MHz Kingston; DIMM DDR3 4096MBx2 PC15000 1866MHz Corsair Vengeance 9-10-9-27; DIMM DDR2 2048MB PC6400 800MHz Samsung