- Полупроводниковые приборы-классификация и обозначения

Презентация "Полупроводниковые приборы-классификация и обозначения" по физике – проект, доклад

Слайд 1
Слайд 2
Слайд 3
Слайд 4
Слайд 5
Слайд 6
Слайд 7
Слайд 8
Слайд 9
Слайд 10
Слайд 11
Слайд 12
Слайд 13
Слайд 14
Слайд 15
Слайд 16
Слайд 17
Слайд 18
Слайд 19
Слайд 20
Слайд 21
Слайд 22
Слайд 23
Слайд 24
Слайд 25
Слайд 26
Слайд 27
Слайд 28
Слайд 29
Слайд 30
Слайд 31
Слайд 32
Слайд 33

Презентацию на тему "Полупроводниковые приборы-классификация и обозначения" можно скачать абсолютно бесплатно на нашем сайте. Предмет проекта: Физика. Красочные слайды и иллюстрации помогут вам заинтересовать своих одноклассников или аудиторию. Для просмотра содержимого воспользуйтесь плеером, или если вы хотите скачать доклад - нажмите на соответствующий текст под плеером. Презентация содержит 33 слайд(ов).

Слайды презентации

Классификация и обозначения полупроводниковых приборов. Выполнено: Тепликов И. Сенюков Е.
Слайд 1

Классификация и обозначения полупроводниковых приборов

Выполнено: Тепликов И. Сенюков Е.

Введение. При использовании полупроводниковых приборов в электронных устройствах для унификации их обозначения и стандартизации параметров используются системы условных обозначений. Эта система классифицирует полупроводниковые приборы по их назначению, основным физическим и электрическим параметрам,
Слайд 2

Введение

При использовании полупроводниковых приборов в электронных устройствах для унификации их обозначения и стандартизации параметров используются системы условных обозначений. Эта система классифицирует полупроводниковые приборы по их назначению, основным физическим и электрическим параметрам, конструктивно-технологическим свойствам, виду полупроводниковых материалов. Система условных обозначений отечественных полупроводниковых приборов базируется на государственных и отраслевых стандартах. Первый ГОСТ на систему обозначений полупроводниковых приборов ГОСТ 10862-64 был введен в 1964 году. Затем по мере возникновения новых классификационных групп приборов был изменен на ГОСТ 10862-72, а затем на отраслевой стандарт ОСТ 11.336.038-77 и ОСТ 11.336.919-81 соответственно в 1972, 1977, 1981 годах. При этой модификации основные элементы цифробуквенного кода системы условных обозначений сохранились. Эта система обозначений логически строена и позволяет наращивать по мере дальнейшего развития элементной базы. Основные термины, определения и буквенные обозначения основных и справочных параметров полупроводниковых приборов приведены в следующих гостах: 25529-82 – Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров; 19095-73 – Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров; 20003-74 – Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров; 20332-84 – Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.

Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых приборов. Система обозначений современных полупроводниковых диодов, тиристоров и оптоэлектронных приборов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11 336.919-81 и базируется на ряде классификационных признаков этих приборов. В основу
Слайд 3

Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых приборов

Система обозначений современных полупроводниковых диодов, тиристоров и оптоэлектронных приборов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11 336.919-81 и базируется на ряде классификационных признаков этих приборов. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код, который состоит из 5 элементов…

Первый элемент. Первый элемент (буква или цифра) обозначает исходный полупроводниковый материал, на базе которого создан полупроводниковый прибор. Для приборов общегражданского применения используются буквы, являющиеся начальными буквами в названии полупроводника или полупроводникового соединения. Д
Слайд 4

Первый элемент

Первый элемент (буква или цифра) обозначает исходный полупроводниковый материал, на базе которого создан полупроводниковый прибор. Для приборов общегражданского применения используются буквы, являющиеся начальными буквами в названии полупроводника или полупроводникового соединения. Для приборов специального применения вместо этих букв используются цифры. Исходный материал Условные обозначения Германий или его соединения Г или 1 Кремний или его соединения К или 2 Соединения галлия (например, арсенид галлия) А или 3 Соединения индия (например, фосфид индия) И или 4

Второй элемент- подкласс полупроводниковых приборов. Обычно буква выбирается из названия прибора, как первая буква названия
Слайд 5

Второй элемент- подкласс полупроводниковых приборов. Обычно буква выбирается из названия прибора, как первая буква названия

Третий элемент. Третий элемент (цифра) в обозначении полупроводниковых приборов, определяет основные функциональные возможности прибора. У различных подклассов приборов наиболее характерные эксплутационные параметры (функциональные возможности) различны. Для транзисторов – это рабочая частота и расс
Слайд 6

Третий элемент.

Третий элемент (цифра) в обозначении полупроводниковых приборов, определяет основные функциональные возможности прибора. У различных подклассов приборов наиболее характерные эксплутационные параметры (функциональные возможности) различны. Для транзисторов – это рабочая частота и рассеиваемая мощность, для выпрямительных диодов - максимальное значение прямого тока, для стабилитронов – напряжение стабилизации и рассеиваемая мощность, для тиристоров – значение тока в открытом состоянии.

Четвертый элемент. Четвертый элемент (2 либо 3 цифры) означает порядковый номер технологической разработки и изменяется от 01 до 999.
Слайд 7

Четвертый элемент.

Четвертый элемент (2 либо 3 цифры) означает порядковый номер технологической разработки и изменяется от 01 до 999.

Пятый элемент. Пятый элемент (буква) в буквенно-цифровом коде системы условных обозначений указывает разбраковку по отдельным параметрам приборов, изготовленных в единой технологии. Для обозначения используются заглавные буквы русского алфавита от А до Я, кроме З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Я, схожих по написан
Слайд 8

Пятый элемент.

Пятый элемент (буква) в буквенно-цифровом коде системы условных обозначений указывает разбраковку по отдельным параметрам приборов, изготовленных в единой технологии. Для обозначения используются заглавные буквы русского алфавита от А до Я, кроме З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Я, схожих по написанию с цифрами.

Условные обозначения и классификация зарубежных полупроводниковых приборов. За рубежом существуют различные системы обозначений полупроводниковых приборов. Наиболее распространенной является система обозначений JEDEC, принятая объединенным техническим советом по электронным приборам США. По этой сис
Слайд 9

Условные обозначения и классификация зарубежных полупроводниковых приборов

За рубежом существуют различные системы обозначений полупроводниковых приборов. Наиболее распространенной является система обозначений JEDEC, принятая объединенным техническим советом по электронным приборам США. По этой системе приборы обозначаются индексом (кодом, маркировкой), в котором первая цифра соответствует числу p-n переходов: 1 – диод, 2 – транзистор, 3 – тетрод (тиристор). За цифрой следует буква N и серийный номер, который регистрируется ассоциацией предприятий электронной промышленности (EIA). За номером могут стоять одна или несколько букв, указывающих на разбивку приборов одного типа на типономиналы по различным параметрам или характеристикам. Однако цифры серийного номера не определяют тип исходного материала, частотный диапазон, мощность рассеяния или область применения. В Европе используется система, по которой обозначения полупроводниковым приборам присваиваются организацией Association International Pro Electron. По этой системе приборы для бытовой аппаратуры широкого применения обозначаются двумя буквами и тремя цифрами. Так, у приборов широкого применения после двух букв стоит трехзначный порядковый номер от 100 до 999. У приборов, применяемых в промышленной и специальной аппаратуре, третий знак – буква (буквы используются в обратном алфавитном порядке: Z, Y, X и т.д.), за которой следует порядковый номер от 10 до 99.

В системе Pro Electron приняты следующие условные обозначения:
Слайд 10

В системе Pro Electron приняты следующие условные обозначения:

Первый элемент. Первый элемент (буква) обозначает исходный полупроводниковый материал, на базе которого создан полупроводниковый прибор. Используются 4 латинские буквы A, B, C и D, в соответствии с видом полупроводника или полупроводникового соединения.
Слайд 11

Первый элемент.

Первый элемент (буква) обозначает исходный полупроводниковый материал, на базе которого создан полупроводниковый прибор. Используются 4 латинские буквы A, B, C и D, в соответствии с видом полупроводника или полупроводникового соединения.

Второй элемент (буква) обозначает подкласс полупроводниковых приборов. Третий элемент (цифра или буква) обозначает в буквенно-цифровом коде полупроводниковые приборы, предназначенные для аппаратуры общегражданского применения (цифра) или для аппаратуры специального применения (буква). В качестве бук
Слайд 12

Второй элемент (буква) обозначает подкласс полупроводниковых приборов. Третий элемент (цифра или буква) обозначает в буквенно-цифровом коде полупроводниковые приборы, предназначенные для аппаратуры общегражданского применения (цифра) или для аппаратуры специального применения (буква). В качестве буквы в последнем случае используются заглавные латинские буквы, расходуемые в обратном порядке Z, Y, X и т.п. Четвертый элемент (2 цифры) означает порядковый номер технологической разработки и изменяется от 01 до 99. Например, ВТХ10-200 - это кремниевый управляемый выпрямитель (тиристор) специального назначения с регистрационным номером 10 и напряжением 200 В.

стандарт JIS-C-7012. Система стандартных обозначений, разработанная в Японии (стандарт JIS-C-7012, принятый ассоциацией EIAJ-Electronic Industries Association of Japan) позволяет определить класс полупроводникового прибора (диод или транзистор), его назначение, тип проводимости полупроводника. Вид п
Слайд 13

стандарт JIS-C-7012

Система стандартных обозначений, разработанная в Японии (стандарт JIS-C-7012, принятый ассоциацией EIAJ-Electronic Industries Association of Japan) позволяет определить класс полупроводникового прибора (диод или транзистор), его назначение, тип проводимости полупроводника. Вид полупроводникового материала в японской системе не отражается. Условное обозначение полупроводниковых приборов по стандарту JIS-C-7012 состоит из пяти элементов. Первый элемент. Первый элемент (цифра) обозначает тип полупроводникового прибора. Используются 3 цифры (0, 1, 2 и 3) в соответствии с типом прибора. Второй элемент. Второй элемент обозначается буквой S и указывает на то, что данный прибор является полупроводниковым. Буква S используется как начальная буква от слова Semiconductor. Третий элемент. Третий элемент (буква) обозначает подкласс полупроводниковых приборов. Ниже в таблице приведены буквы, используемые для обозначения подклассов Четвертый элемент. Четвертый элемент обозначает регистрационный номер технологической разработки и начинается с числа 11. Пятый элемент. Пятый элемент отражает модификацию разработки (А и В – первая и вторая модификация).

JEDEC. Система обозначений JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), принята объединенным техническим советом по электронным приборам США. По этой системе приборы обозначаются индексом (кодом, маркировкой), в котором: Первый элемент. Первый элемент (цифра) обозначает число p-n переходов. Ис
Слайд 14

JEDEC

Система обозначений JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), принята объединенным техническим советом по электронным приборам США. По этой системе приборы обозначаются индексом (кодом, маркировкой), в котором: Первый элемент. Первый элемент (цифра) обозначает число p-n переходов. Используются 4 цифры (1, 2, 3 и 4) в соответствии с типом прибора: 1 – диод, 2 – транзистор, 3 – тиристор, 4 – оптопара. Второй элемент. Второй элемент состоит из буквы N и серийного номера, который регистрируется ассоциацией предприятий электронной промышленности (EIA). Цифры серийного номера не определяют тип исходного материала, частотный диапазон, мощность рассеяния и область применения. Третий элемент. Третий элемент - одна или несколько букв, указывают на разбивку приборов одного типа на типономиналы по различным характеристикам. Фирма-изготовитель, приборы которой по своим параметрам подобны приборам, зарегестрированным EIA, может представлять свои приборы с обозначением, принятым по системе JEDEC. Пример: 2N2221A, 2N904.

Графические обозначения и стандарты. В технической документации и специальной литературе применяются условные графические обозначения полупроводниковых приборов в соответствии с ГОСТ 2.730-73 «Обозначения условные, графические в схемах. Приборы полупроводниковые».
Слайд 15

Графические обозначения и стандарты

В технической документации и специальной литературе применяются условные графические обозначения полупроводниковых приборов в соответствии с ГОСТ 2.730-73 «Обозначения условные, графические в схемах. Приборы полупроводниковые».

Диод выпрямительный, столб выпрямительный
Слайд 16

Диод выпрямительный, столб выпрямительный

Диод туннельный
Слайд 17

Диод туннельный

Диод обращения
Слайд 18

Диод обращения

Варикап
Слайд 19

Варикап

Диод светоизлучающий
Слайд 20

Диод светоизлучающий

Односторонний стабилитрон
Слайд 21

Односторонний стабилитрон

Двусторонний стабилитрон
Слайд 22

Двусторонний стабилитрон

Транзистор типа p-n-p
Слайд 23

Транзистор типа p-n-p

Транзистор типа n-p-n
Слайд 24

Транзистор типа n-p-n

Однопереходный транзистор с n-базой
Слайд 25

Однопереходный транзистор с n-базой

Полевой транзистор с каналом n-типа
Слайд 26

Полевой транзистор с каналом n-типа

Полевой транзистор с каналом p-типа
Слайд 27

Полевой транзистор с каналом p-типа

Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с. n-каналом р-каналом
Слайд 28

Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с

n-каналом р-каналом

Диодный тиристор
Слайд 29

Диодный тиристор

Триодный, запираемый в обратном направлении, выключаемый, с управлением по. Катоду Аноду
Слайд 30

Триодный, запираемый в обратном направлении, выключаемый, с управлением по

Катоду Аноду

Условные обозначения электрических параметров и сравнительные справочные данные полупроводниковых приборов. Для полупроводниковых приборов определены и стандартизованы значения основных электрических параметров и предельные эксплутационные характеристики, которые приводятся в справочниках. К таким п
Слайд 31

Условные обозначения электрических параметров и сравнительные справочные данные полупроводниковых приборов

Для полупроводниковых приборов определены и стандартизованы значения основных электрических параметров и предельные эксплутационные характеристики, которые приводятся в справочниках. К таким параметрам относятся: напряжение (например, Uпр – постоянное прямое напряжение диода), ток (например, Iст, max – максимально допустимый ток в стабилизации стабилитрона, мощность (например, Pвых – выходная мощность биполярного транзистора), сопротивление (например, rдиф – дифференциальное сопротивление диода), емкость (например, Cк – емкость коллекторного перехода), время и частота (например, tвос, обр - время обратного восстановления тиристора, диода), температура (например, Tmax - максимальная температура окружающей среды). Число значений основных электрических параметров исчисляется сотнями, причем для каждого подкласса полупроводниковых приборов эти параметры будут различными. В справочных изданиях приводятся значения основных электрических параметров и предельные эксплутационные характеристики полупроводниковых приборов. Ниже в качестве примера приведены эти данные для типичных представителей различных типов приборов.

Примеры обозначения некоторых транзисторов: КТ604А - кремниевый биполярный, средней мощности, низкочастотный, номер разработки 04, группа А 2Т920 - кремниевый биполярный, большой мощности, высокочастотный, номер разработки 37, группа А 2ПС202А-2 - набор маломощных кремниевых полевых транзисторов сре
Слайд 32

Примеры обозначения некоторых транзисторов: КТ604А - кремниевый биполярный, средней мощности, низкочастотный, номер разработки 04, группа А 2Т920 - кремниевый биполярный, большой мощности, высокочастотный, номер разработки 37, группа А 2ПС202А-2 - набор маломощных кремниевых полевых транзисторов средней частоты, номер разработки 02, группа А, бескорпусный, с гибкими выводами на кристаллодержателе. 2Д921А - кремниевый импульсный диод с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее 1нс, номер разработки 21, группа А 3И203Г - арсенидогаллиевый туннельный генераторный диод, номер разработки 3, группа Г АД103Б - арсенидогаллиевый излучающий диод инфракрасного диапазона, номер разработки 3, группа Б.

Основные ГОСТы: ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения ОСТ 11 336,919 -81 Приборы полупроводниковые. Система условных обозначений. ГОСТ 2,730-73 Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые ГОСТ 18472-82 Приборы полупроводниковые. Основные размеры ГОСТ
Слайд 33

Основные ГОСТы: ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения ОСТ 11 336,919 -81 Приборы полупроводниковые. Система условных обозначений. ГОСТ 2,730-73 Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые ГОСТ 18472-82 Приборы полупроводниковые. Основные размеры ГОСТ 20003-74 Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров. ГОСТ 19095 - 73 Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров. ГОСТ 23448 - 79 Приборы полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры. ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.

Список похожих презентаций

Светодиоды и полупроводниковые лазеры

Светодиоды и полупроводниковые лазеры

Содержание. Светодиоды П/п лазеры П/п лазеры на фотонных кристаллах. Светодиодом, или излучающим диодом, называют полупроводниковый прибор (p-n переход), ...
Полупроводниковые резисторы

Полупроводниковые резисторы

Электрофизические свойства радиоматериалов. Слайд 1. Всего 24. Раздел 2 Резисторы Лекция 5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ РЕЗИСТОРЫ. В полупроводниковых резисторах ...
Условные обозначения электродов с покрытием

Условные обозначения электродов с покрытием

Схема обозначения покрытых электродов. Структура условного обозначения электрода по ГОСТ 9466-75 «Электроды покрытые для ручной дуговой сварки и наплавки. ...
Полупроводниковые приборы и принцип их работы

Полупроводниковые приборы и принцип их работы

Стремительное развитие и расширение областей применения электронных устройств обусловлено совершенствованием элементной базы, основу которой составляют ...
Полупроводниковые лазеры

Полупроводниковые лазеры

Содержание:. Полупроводниковые лазеры и их особенности Историческая справка Люминесценция и инверсия населенностей в полупроводниках Методы накачки ...
Перспективные полупроводниковые гетероструктуры и приборы на их основе

Перспективные полупроводниковые гетероструктуры и приборы на их основе

Государственный заказчик-координатор от Российской федерации – Минпромторг РФ, Государственный заказчик от Республики Беларусь – Национальная академия ...
Физика в профессии юриста

Физика в профессии юриста

Юрист должен уметь:. юридически правильно квалифицировать факты и обстоятельства давать квалификационные юридические заключения и консультации Для ...
ФИЗИКА В ЖИЗНИ КОШКИ

ФИЗИКА В ЖИЗНИ КОШКИ

ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ РАБОТЫ:. обнаружить известные физические явления, объекты и закономерности в поведении кошки, и тем самым углубить, расширить и упрочить ...
Физика в моей будущей профессии

Физика в моей будущей профессии

Авторы: Куратник Тимофей Вадимович и Роганов Александр Сергеевич, ученики 8 «А» класса МБВ(С)ОУ «О(С)ОШ № 1» г. Калуги Научный руководитель: Кузьмина ...
Физика Магнитные поля

Физика Магнитные поля

Давайте вспомним ! Что такое электрический заряд? Электрическим зарядом обладают электроны и ионы. Что такое ионы? Ионы – атомы в которых не хватает ...
Физика столкновений тяжелых ионов

Физика столкновений тяжелых ионов

Содержание Введение Фазовые переходы в сжатой и нагретой ядерной материи Пространственно-временная картина АА взаимодействий Уроки RHIC Столкновения ...
Физика и живая природа

Физика и живая природа

«от животных мы путём подражания научились важнейшим делам». Демокрит. 1 страница "Удивительное рядом". Различные скорости животных. Меч-рыба - 130 ...
Физика и спорт

Физика и спорт

Спорт и Законы Ньютона. Первый закон Ньютона. Сущетсвуют такие системы отсчета при которых тело движется равномерно и прямолинейно либо покоиться, ...
«Световые волны» физика

«Световые волны» физика

Оглавление:. Принцип Гюйгенса Закон отражения света Закон преломления света Полное отражение Линза Расчёт увеличения линзы Дисперсия света Интерференция ...
«Сообщающиеся сосуды» физика

«Сообщающиеся сосуды» физика

Цель: изучить особенности сообщающихся сосудов и сформулировать основной закон сообщающихся сосудов. Опыт с двумя трубками. Опыт с сосудами разной ...
«МКТ» физика

«МКТ» физика

Содержание. Молекулярная физика Основы молекулярно-кинетической теории строения вещества (МКТ) Температура и внутренняя энергия тела Характеристика ...
«Оптические приборы» физика

«Оптические приборы» физика

Содержание. 1.Телескоп 2.Строение телескопа 3.Разновидности телескопов 4.Рефлекторы 5.Использование телескопов 6.Микроскоп 7.Создание микроскопа 8.Использование ...
«Механические волны» физика

«Механические волны» физика

Цель исследования: установить с научной точки зрения, что такое звук. Задачи исследования: 1.    Изучить физическую теорию звука. 2.    Исследовать историю ...
«Давление твёрдых тел» физика

«Давление твёрдых тел» физика

Физический диктант. Обозначение площади – Единица площади – Площадь прямоугольника – Обозначение силы – Единица силы – Формула силы тяжести – Обозначение ...
"Физика и спорт"

"Физика и спорт"

Олимпийские игры -. спортивные игры, устраивавшиеся в Древней Греции в городе Олимпия с 776г. до н.э. по 394г. н.э. один раз в четыре года. Продолжались ...
Физика в эпоху античности

Физика в эпоху античности

Термин «античность» происходит от латинского слова antiquus — древний. Им принято называть особый период развития древней Греции и Рима, а также тех ...
«Физика»

«Физика»

Проблемы. Качественный мониторинг уровня обученности учеников и его всесторонний анализ позволяет учителю осуществлять коррекцию работы в классе в ...
Физика для всех

Физика для всех

. »: 2. герой Даниэля Дефо «Робинзон Крузо». 3. «Засели необитаемый остров». 4. “Нешкольные задачи по физике”. 5. РЕКЛАМА 6. В 1682 г. известный английский ...
«Электромагнит» физика

«Электромагнит» физика

2. Как располагаются железные опилки в магнитном поле прямого тока? 3. Что называют магнитной линией магнитного поля? 4. Для чего вводят понятие магнитной ...
Физика и лирика

Физика и лирика

Дул ветер из последних сил, И град хлестал, и ливень лил, И вспышки молний тьма глотала, И небо долго грохотало... Роберт Бернс “Тем О’Шентер”. Ф.И.Тютчев ...
8 Вязкость, число Рейнольдса, Физика дождя, Капилярные явления

8 Вязкость, число Рейнольдса, Физика дождя, Капилярные явления

Движение жидкости. Пусть над слоем ∆S скорость больше и верхний слой 1 пытается увлечь нижний 2 и сила внутреннего трения действует на слой 2 с силой ...
Физика Инфракрасное излучение

Физика Инфракрасное излучение

Частотный диапазон ИК излучения. 3.1011 – 4.10 14 Гц. История открытия. ИК излучение было обнаружено английским астрономом и физиком Уильямом Гершелем ...
Астрофизика - школьникам

Астрофизика - школьникам

Расширение кругозора учащихся; Получение дополнительных знаний в области естественных наук; Развитие стремления к экспериментальной и исследовательской ...
Физика полупроводников

Физика полупроводников

План урока:. Историк – Парникова Дуся Химик – Карбаканов Андрей Физик – Слепцов Вася Инженер многоканальной электросвязи – Гаврильев Петя Инженер ...
Атомная физика

Атомная физика

Факты, свидетельствующие о сложном строении атома. Периодическая система Д.И. Менделеева Электролиз Открытие электрона Катодные лучи Радиоактивность. ...
Физика в ванной

Физика в ванной

Цель:. Формирование познавательного интереса к физике, выявление знаний и умений учащихся по теме, обобщение и закрепление знаний и умений, которые ...
Атомная физика

Атомная физика

План урока 1. Из истории физики 2. Модель Томсона 3. Опыт Резерфорда 4. Противоречия 5.Постулаты Бора 6.Энергетическая диаграмма атома водорода 7. ...
Физика в литературе

Физика в литературе

Авторы: Антипова Анжела, Краснов Антон, Назарова Анастасия, обучающиеся 7 кл. Руководитель: Фомакина Галина Вениаминовна учитель физики ГБОУ ООШ с. ...
Атомная физика

Атомная физика

Атомная физика. Атомная физика на стыке XIX и ХХ вв. в науке свершились открытия, заставившие заколебаться сложившуюся картину мира. Представлениям, ...
Физика в поэзии

Физика в поэзии

Цели урока:. Образовательная – повторение, закрепление и систематизация знаний по разным разделам физики. Развивающая –формирование творческих способностей, ...
Атомная физика

Атомная физика

СТРОЕНИЕ АТОМА Модель Томсона. Модель Резерфорда. Опыт Резерфорда. Определение размеров. атомного ядра Планетарная модель атома. Планетарная модель ...

Советы как сделать хороший доклад презентации или проекта

  1. Постарайтесь вовлечь аудиторию в рассказ, настройте взаимодействие с аудиторией с помощью наводящих вопросов, игровой части, не бойтесь пошутить и искренне улыбнуться (где это уместно).
  2. Старайтесь объяснять слайд своими словами, добавлять дополнительные интересные факты, не нужно просто читать информацию со слайдов, ее аудитория может прочитать и сама.
  3. Не нужно перегружать слайды Вашего проекта текстовыми блоками, больше иллюстраций и минимум текста позволят лучше донести информацию и привлечь внимание. На слайде должна быть только ключевая информация, остальное лучше рассказать слушателям устно.
  4. Текст должен быть хорошо читаемым, иначе аудитория не сможет увидеть подаваемую информацию, будет сильно отвлекаться от рассказа, пытаясь хоть что-то разобрать, или вовсе утратит весь интерес. Для этого нужно правильно подобрать шрифт, учитывая, где и как будет происходить трансляция презентации, а также правильно подобрать сочетание фона и текста.
  5. Важно провести репетицию Вашего доклада, продумать, как Вы поздороваетесь с аудиторией, что скажете первым, как закончите презентацию. Все приходит с опытом.
  6. Правильно подберите наряд, т.к. одежда докладчика также играет большую роль в восприятии его выступления.
  7. Старайтесь говорить уверенно, плавно и связно.
  8. Старайтесь получить удовольствие от выступления, тогда Вы сможете быть более непринужденным и будете меньше волноваться.

Информация о презентации

Ваша оценка: Оцените презентацию по шкале от 1 до 5 баллов
Дата добавления:14 Декабря 2018
Категория:Физика
Содержит:33 слайд(ов)
Поделись с друзьями:
Скачать напрямую
Смотреть похожие презентации Смотреть советы по подготовке презентации