- Влияние имплантации ионов фосфора на структурные изменения в поверхностных слоях монокристалла кремния

Презентация "Влияние имплантации ионов фосфора на структурные изменения в поверхностных слоях монокристалла кремния" по физике – проект, доклад

Слайд 1
Слайд 2
Слайд 3
Слайд 4
Слайд 5
Слайд 6
Слайд 7
Слайд 8
Слайд 9
Слайд 10
Слайд 11

Презентацию на тему "Влияние имплантации ионов фосфора на структурные изменения в поверхностных слоях монокристалла кремния" можно скачать абсолютно бесплатно на нашем сайте. Предмет проекта: Физика. Красочные слайды и иллюстрации помогут вам заинтересовать своих одноклассников или аудиторию. Для просмотра содержимого воспользуйтесь плеером, или если вы хотите скачать доклад - нажмите на соответствующий текст под плеером. Презентация содержит 11 слайд(ов).

Слайды презентации

ВЛИЯНИЕ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ ФОСФОРА НА СТРУКТУРНЫЕ ИЗМЕНЕНИЯ В ПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЯХ МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ
Слайд 1

ВЛИЯНИЕ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ ФОСФОРА НА СТРУКТУРНЫЕ ИЗМЕНЕНИЯ В ПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЯХ МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ

Цель работы. Исследование структурных изменений в приповерхностных слоях монокристаллов Si после имплантации ионов фосфора. Энергия имплантованных ионов - Е=180 кэВ, доза - D=81014 см-2
Слайд 2

Цель работы

Исследование структурных изменений в приповерхностных слоях монокристаллов Si после имплантации ионов фосфора. Энергия имплантованных ионов - Е=180 кэВ, доза - D=81014 см-2

Для реализации цели: Использовано методы рентгеновской топографии и двухкристального спектрометра; Использовано численные методы решения системы дифференциальных уравнений, описывающие процессы рассеяния рентгеновских лучей в искаженных кристаллах
Слайд 3

Для реализации цели:

Использовано методы рентгеновской топографии и двухкристального спектрометра; Использовано численные методы решения системы дифференциальных уравнений, описывающие процессы рассеяния рентгеновских лучей в искаженных кристаллах

1 исходная 2 имплантация. Образец кремния схематично. Исходная область. Ионная имплантация: фосфор (Е=180кеВ, D=8·1014cм-2)
Слайд 4

1 исходная 2 имплантация

Образец кремния схематично

Исходная область

Ионная имплантация: фосфор (Е=180кеВ, D=8·1014cм-2)

КОСОНЕСИММЕТРИЧНАЯ ДИФРАКЦИИ В ГЕОМЕТРИИ НА ОТРАЖЕНИЕ. И – источник рентг. излучения Щ – щель П – пленка К – кристалл. Основное условие: . Схема эксперимента. Схематическое представление особенный значений азимутального угла поворота  при повороте кристалла вокруг вектора дифракции. 0 < 0 
Слайд 5

КОСОНЕСИММЕТРИЧНАЯ ДИФРАКЦИИ В ГЕОМЕТРИИ НА ОТРАЖЕНИЕ

И – источник рентг. излучения Щ – щель П – пленка К – кристалл

Основное условие: 

Схема эксперимента

Схематическое представление особенный значений азимутального угла поворота  при повороте кристалла вокруг вектора дифракции

0 < 0  cos  tgBctg дифракция Лауэ; 00  cos

Топография монокристалов Si. а) Lext=2,1мкм б) Lext=1,05мкм в) Lext=0,75мкм. Х-лучевые топограмы монокристала Si: CuKα-излучение, входящая плоскость (111). 1 2. 1-исходная область; 2-имплантированаяс. 17
Слайд 6

Топография монокристалов Si

а) Lext=2,1мкм б) Lext=1,05мкм в) Lext=0,75мкм

Х-лучевые топограмы монокристала Si:

CuKα-излучение, входящая плоскость (111)

1 2

1-исходная область; 2-имплантированаяс

17

Атомно-силовая микроскопия образца Si. б) а). Объёмное изображение микрорельефа поверхности образца Si. а) исходная область б) имплантированая область. 18
Слайд 7

Атомно-силовая микроскопия образца Si

б) а)

Объёмное изображение микрорельефа поверхности образца Si

а) исходная область б) имплантированая область

18

Схема трехосного рентгеновского дифрактометра. Високоразрешающий трехосный рентгеновский дифрактометр PANalytical X’Pert MRD PRO. используется для измерения кривых дифракционного отражения (КДО). На трехосном дифрактометре фирмы “Philips” находится: на первой оси- германиевый монохроматор из четырех
Слайд 8

Схема трехосного рентгеновского дифрактометра

Високоразрешающий трехосный рентгеновский дифрактометр PANalytical X’Pert MRD PRO. используется для измерения кривых дифракционного отражения (КДО). На трехосном дифрактометре фирмы “Philips” находится: на первой оси- германиевый монохроматор из четырехкратным отражением, на второй – исследуемый образец, на третьей кристалл - анализатор .

Рентгеновская трубка

монохроматор

исследуемый образец

детектор

Кривые дифракционного отражения монокристалла Si. -800 -600 -400 -200	0 200 400 600 800 ∆θ. lg(I/I0) 1E-3 0.1. отражение (111), CuКa- излучение. 1 – исходная область, 2 – имплантированная область
Слайд 9

Кривые дифракционного отражения монокристалла Si

-800 -600 -400 -200 0 200 400 600 800 ∆θ

lg(I/I0) 1E-3 0.1

отражение (111), CuКa- излучение

1 – исходная область, 2 – имплантированная область

Кривые дифракционного отражения монокристалла Si: сопоставление теоретической и экспериментальных кривых. -600 -400 -200	0 200 400 600 ∆θ. отражение (333), CuКα - излучение. 1 – экспериментальная кривая, 2 – теоретически рассчитанная кривая. 0 500 1000 1500 2000 2500 Z, нм. 2 1 0 -1 -2 ∆d/d *10-3. П
Слайд 10

Кривые дифракционного отражения монокристалла Si: сопоставление теоретической и экспериментальных кривых

-600 -400 -200 0 200 400 600 ∆θ

отражение (333), CuКα - излучение

1 – экспериментальная кривая, 2 – теоретически рассчитанная кривая.

0 500 1000 1500 2000 2500 Z, нм

2 1 0 -1 -2 ∆d/d *10-3

Профиль деформации в приповерхностных слоях кристалла, имплантированного ионами фосфора

0 2000 4000 6000 8000 Z,E 6 5 4 3 n*10-19

Распределение имплантированных ионов фосфора в кристалле кремния, полученное с помощью программного пакета SRIM-2003

Выводы: .Воздействие ионной имплантации на поверхность образца приводят к изменению характеристик и формы кривых качания, особенно их “хвостов”, относительно исходной части образца. Наблюдается также незначительное увеличение полуширины кривых качания и отношения интегральной интенсивности к высоте
Слайд 11

Выводы:

.Воздействие ионной имплантации на поверхность образца приводят к изменению характеристик и формы кривых качания, особенно их “хвостов”, относительно исходной части образца. Наблюдается также незначительное увеличение полуширины кривых качания и отношения интегральной интенсивности к высоте максимума кривой. Из полученного распределения имплантированных ионов следует, что максимальное значение концентрации имплантанта n=5.75·1019 см-3 наблюдается на глубине порядка ~2500Å. Исходя из численных решений уравнений Такаги – Топена, а также из расчетов на основании обобщенной динамической теории дифракции рентгеновских лучей построен профили деформации в поверхностных слоях кремния Оценены средний радиус и концентрация микродефектов: дискообразные кластеры – размер ~0,5 мкм, концентрация ~ 107÷108 см-3; сферические кластеры – размер ~0,011 мкм, концентрация ~1012÷1013 см-3 ; дислокационные петли – размер ~0,7 мкм, концентрация ~108÷109 см-3 Определенная с помощью атомно-силовой микроскопии высота Rа характерного рельефа неровностей на имплантированной ионами поверхности, равна ~0,273 нм

Список похожих презентаций

Влияние электромагнитного излучения компьютеров на организм школьника

Влияние электромагнитного излучения компьютеров на организм школьника

План работы:. 1. «Я и компьютер» 2. Нагрузка на зрение. 3. Стесненная поза. 4. Затрудненное дыхание. 5. Остеохондроз. 6. Заболевание суставов кистей ...
Влияние электромагнитного излучения микроволновой печи на прорастание и рост растений

Влияние электромагнитного излучения микроволновой печи на прорастание и рост растений

Гипотеза исследования:. Если электромагнитное излучение отрицательно влияет на организм человека, то оно должно угнетать интенсивность прорастания ...
Влияние шума на здоровье человека

Влияние шума на здоровье человека

Человек живет в мире звуков и шума. Звуком называют такие механические колебания внешней среды, которые воспринимаются слуховым аппаратом человека ...
Влияние электрического поля на рост кристаллов

Влияние электрического поля на рост кристаллов

Цель исследования. экспериментальное изучение влияния бесконтактного слабого электрического поля на процесс роста монокристаллов растворимых веществ. ...
Влияние сотового телефона на здоровье человека

Влияние сотового телефона на здоровье человека

Актуальность темы:. Мы уже не представляем свою жизнь без сотовой связи. В настоящее время актуальным является вопрос о том, оказывает ли сотовая ...
Влияние шума и музыки на здоровье человека

Влияние шума и музыки на здоровье человека

Проблематика презентации. Научно-технический прогресс принес человечеству не только комфорт, удобство и облегчение жизни, но и снизил уровень здоровья. ...
Влияние различных участков спектра видимого света на скорость роста растений

Влияние различных участков спектра видимого света на скорость роста растений

Восходишь - все оживает. Заходишь - и все умирает. Ты жизни мерило и первопричина её. ( Гимн Солнцу). Работу выполнил Ученик 8 «Б» класса МОУ СОШ ...
Все изменения, происходящие в природе, называются явлениями природы

Все изменения, происходящие в природе, называются явлениями природы

Физические явления. Механические Электрические Магнитные Тепловые Звуковые Световые. Материя. Материя – это всё то, что существует во Вселенной независимо ...
Влажность воздуха и его влияние на здоровье человека

Влажность воздуха и его влияние на здоровье человека

Изучить литературы по данной теме. Установить зависимость влажности воздуха и здоровья учащихся. Наблюдать изменение влажности воздуха. Сравнить результаты ...
Влияние радиоактивного излучения на живые организмы

Влияние радиоактивного излучения на живые организмы

О радиации. Радиоактивность - отнюдь не новое явление; новизна состоит лишь в том, как люди пытались ее использовать. И радиоактивность, и сопутствующие ...
Влияние различных видов звуков на организм человека

Влияние различных видов звуков на организм человека

Часть I. О ВЛИЯНИИ ПЕСЕН «ТЯЖЕЛОГО МЕТАЛЛА» И РОК-МУЗЫКИ НА САМОЧУСТВИЕ ЧЕЛОВЕКА. «Путь праведного — уклонение от зла: тот бережет душу свою, кто ...
Влияние магнитного поля на прорастание семян

Влияние магнитного поля на прорастание семян

Мы предполагаем: искусственное магнитное поле положительно влияет на прорастание семян Цель: выявить влияние магнитного поля на прорастание семян. ...
Влияние звуковых и электромагнитных волн на скорость прорастания пшеницы

Влияние звуковых и электромагнитных волн на скорость прорастания пшеницы

Цели и задачи Формула воды Волны Опыт. Заключение и диаграммы. В последнее время в СМИ стало появляться много информации о необычных свойствах воды, ...
Влияние звука на струю жидкости

Влияние звука на струю жидкости

В ходе изучения темы были рассмотрены следующие вопросы:. Струя жидкости с физической точки зрения. Капиллярные волны Различные явления, возникающие ...
Влияние громкого звука и шума на организм человека

Влияние громкого звука и шума на организм человека

Выяснить, влияет ли громкость звука и шум на организм человека. Цель работы. Громкость звука и шум влияют на организм человека. гипотеза. Мы живём ...
Влияние магнитных полей на живые организмы

Влияние магнитных полей на живые организмы

Цель: Выявить свойства магнитных полей и проанализировать влияние на живые организмы. Задачи: Провести анализ Изучить влияние магнитных полей на растительные ...
Влияние электромагнитного поля на организм человека

Влияние электромагнитного поля на организм человека

За последнее время возник и быстро сформировался новый фак-тор окружающей среды - электромагнитное поле (ЭМП) антропогенного (искусственного) происхождения. ...
Влияние электромагнитных излучений на здоровье человека

Влияние электромагнитных излучений на здоровье человека

Электромагнитное излучение -. это электромагнитные волны, источниками, которых являются колеблющиеся заряженные частицы ( атомы, молекулы, электроны). ...
Влияние электромагнитных волн на организм человека

Влияние электромагнитных волн на организм человека

Электромагнитные волны – неизбежные спутники бытового комфорта. Они пронизывают пространство вокруг нас и наши тела: источники ЭМ-излучения согревают ...
Влияние атмосферного давления и температуры на формирование снежинок

Влияние атмосферного давления и температуры на формирование снежинок

Цель: исследование влияния атмосферного давления и температуры на формирование снежинок, изучение их форм и видов. Задачи:. 1.Узнать, при каких погодных ...

Конспекты

Влияние бытовых приборов на здоровье человека

Влияние бытовых приборов на здоровье человека

Тема: « Влияние бытовых приборов на здоровье человека». . . . 2013-2014. . Учитель Войлошникова И. И. МБОУ « СОШ № 18» г. Череповец. 2013-2014. ...
Влияние алкоголя на организм человека

Влияние алкоголя на организм человека

ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ КАРТА НЕСТАНДАРТНОГО УРОКА «ВЛИЯНИЕ АЛКАГОЛЯ НА ОРГАНИЗМ ЧЕЛОВЕКА». . Современный урок физики в рамках ФГОС. Образовательное ...
Дозиметрия. Период полураспада. Закон радиоактивного распада. Влияние радиоактивных излучений на живые организмы

Дозиметрия. Период полураспада. Закон радиоактивного распада. Влияние радиоактивных излучений на живые организмы

Урок – конференция. 9 класс. Тема конференции:. Дозиметрия. Период полураспада. Закон радиоактивного распада. Влияние радиоактивных излучений на ...
Рычаг. Равновесие сил на рычаге

Рычаг. Равновесие сил на рычаге

Рычаг. Равновесие сил на рычаге. Тип урока. : изучение нового материала. Форма урока. : комбинированный. Цель урока. : формирование компетенций ...
Решение задач на применение формулы тонкой линзы

Решение задач на применение формулы тонкой линзы

МОУ СОШ №25. С углубленным изучением отдельных предметов. Муниципальный округ Орехово-Зуево. Открытый урок по физике. КЛАСС: 11А. ТЕМА: ...
Решение задач на нахождение силы тока и напряжения

Решение задач на нахождение силы тока и напряжения

- Ребята, сегодня 2. 0. января. - Тема нашего урока:. Решение задач на нахождение силы тока и напряжения. . - Цель урока:. Умение применять полученные ...
Решение задач на движение

Решение задач на движение

Тема. : « Решение задач на движение». Задачи:. . Образовательные:. . . Сравнивать различные виды движения : вдогонку, навстречу друг другу, ...
Радиация и её воздействие на биологические объекты

Радиация и её воздействие на биологические объекты

Муниципальное общеобразовательное учреждение. . «Средняя общеобразовательная школа п. Горный. . Краснопартизанского района Саратовской области». ...
Применение технологии интегрированного обучения на уроках физики

Применение технологии интегрированного обучения на уроках физики

Применение технологии интегрированного обучения на уроках физики. В современной школе на первый план выходит умение учителя мотивировать ученика ...
Мы приглашаем вас на чай

Мы приглашаем вас на чай

Урок физики в 7 классе. . Автор: Живаго Ольга Ивановна, учитель физики. МБОУ «Средняя общеобразовательная школа № 38 г.Симферополь». Тема урока. ...

Советы как сделать хороший доклад презентации или проекта

  1. Постарайтесь вовлечь аудиторию в рассказ, настройте взаимодействие с аудиторией с помощью наводящих вопросов, игровой части, не бойтесь пошутить и искренне улыбнуться (где это уместно).
  2. Старайтесь объяснять слайд своими словами, добавлять дополнительные интересные факты, не нужно просто читать информацию со слайдов, ее аудитория может прочитать и сама.
  3. Не нужно перегружать слайды Вашего проекта текстовыми блоками, больше иллюстраций и минимум текста позволят лучше донести информацию и привлечь внимание. На слайде должна быть только ключевая информация, остальное лучше рассказать слушателям устно.
  4. Текст должен быть хорошо читаемым, иначе аудитория не сможет увидеть подаваемую информацию, будет сильно отвлекаться от рассказа, пытаясь хоть что-то разобрать, или вовсе утратит весь интерес. Для этого нужно правильно подобрать шрифт, учитывая, где и как будет происходить трансляция презентации, а также правильно подобрать сочетание фона и текста.
  5. Важно провести репетицию Вашего доклада, продумать, как Вы поздороваетесь с аудиторией, что скажете первым, как закончите презентацию. Все приходит с опытом.
  6. Правильно подберите наряд, т.к. одежда докладчика также играет большую роль в восприятии его выступления.
  7. Старайтесь говорить уверенно, плавно и связно.
  8. Старайтесь получить удовольствие от выступления, тогда Вы сможете быть более непринужденным и будете меньше волноваться.

Информация о презентации

Ваша оценка: Оцените презентацию по шкале от 1 до 5 баллов
Дата добавления:19 июня 2019
Категория:Физика
Содержит:11 слайд(ов)
Поделись с друзьями:
Скачать презентацию
Смотреть советы по подготовке презентации