- Типы и поэлиризация диалектиков

Презентация "Типы и поэлиризация диалектиков" по физике – проект, доклад

Слайд 1
Слайд 2
Слайд 3
Слайд 4
Слайд 5
Слайд 6
Слайд 7
Слайд 8
Слайд 9
Слайд 10
Слайд 11
Слайд 12
Слайд 13
Слайд 14
Слайд 15
Слайд 16
Слайд 17
Слайд 18
Слайд 19
Слайд 20
Слайд 21
Слайд 22
Слайд 23
Слайд 24
Слайд 25
Слайд 26
Слайд 27
Слайд 28
Слайд 29
Слайд 30
Слайд 31
Слайд 32
Слайд 33
Слайд 34
Слайд 35
Слайд 36

Презентацию на тему "Типы и поэлиризация диалектиков" можно скачать абсолютно бесплатно на нашем сайте. Предмет проекта: Физика. Красочные слайды и иллюстрации помогут вам заинтересовать своих одноклассников или аудиторию. Для просмотра содержимого воспользуйтесь плеером, или если вы хотите скачать доклад - нажмите на соответствующий текст под плеером. Презентация содержит 36 слайд(ов).

Слайды презентации

Физика Электростатика (продолжение)
Слайд 1

Физика Электростатика (продолжение)

10.8. Типы диэлектриков. Поляризация диэлектриков. В зависимости от вида молекул диэлектрики делятся на три группы. Первую группу диэлектриков составляют вещества, молекулы которых симметричны (Н2, О2, СО2). Центры положитель­ных и отрицательных зарядов в отсутствие внешнего электрического поля совп
Слайд 2

10.8. Типы диэлектриков. Поляризация диэлектриков.

В зависимости от вида молекул диэлектрики делятся на три группы. Первую группу диэлектриков составляют вещества, молекулы которых симметричны (Н2, О2, СО2). Центры положитель­ных и отрицательных зарядов в отсутствие внешнего электрического поля совпадают и дипольный момент молекулы р равен нулю. Молекулы таких диэлект­риков называются неполярными.

Диэлектриком называется вещество, не проводящее электрический ток. Основное свойство диэлектрика – способность поляризоваться во внешнем электрическом поле.

Вторую группу диэлектриков составляют вещества, молеку­лы которых имеют асимметричное строение (H2O, CO,...). Центры «тяжести» положительных и отрицательных зарядов не совпадают. Молекулы таких диэлектриков в отсутствие внешнего электрического поля обладают дипольным моментом. Они называются полярны
Слайд 3

Вторую группу диэлектриков составляют вещества, молеку­лы которых имеют асимметричное строение (H2O, CO,...). Центры «тяжести» положительных и отрицательных зарядов не совпадают.

Молекулы таких диэлектриков в отсутствие внешнего электрического поля обладают дипольным моментом. Они называются полярными.

При отсутствии внешнего поля суммарный дипольный момент равен нулю. Под действием внешнего поля молекулы ориентируются одинаково, и в результате возникает результирующий момент.

Ионные кристаллы можно рассматривать, как совокупность двух подрешеток, который под действием внешнего поля сдвигаются, образуя дипольные моменты. У всех трех видов диэлектриков под действием внешнего поля появляется дипольный (электрический) момент. Это явление называется поляризацией. Третью групп
Слайд 4

Ионные кристаллы можно рассматривать, как совокупность двух подрешеток, который под действием внешнего поля сдвигаются, образуя дипольные моменты.

У всех трех видов диэлектриков под действием внешнего поля появляется дипольный (электрический) момент. Это явление называется поляризацией.

Третью группу диэлектриков составляют вещества, молекулы которых имеют ионное строение (NaCl, KCl ...) . Ионные кристаллы представляют собой простра­нственные решетки с правильным чередованием ионов разных знаков.

Поляризацией диэлектрика называется процесс ориентации диполей или появления под воздействием внешнего электрического поля ориентированных по полю диполей. Соответственно трем группам диэлектриков различают три вида поляризации: Электронная, или деформационная поляризация. Она заключается в возникно
Слайд 5

Поляризацией диэлектрика называется процесс ориентации диполей или появления под воздействием внешнего электрического поля ориентированных по полю диполей.

Соответственно трем группам диэлектриков различают три вида поляризации: Электронная, или деформационная поляризация. Она заключается в возникновении у атомов дипольного момен­та за счет деформации электронных орбит.

Электроны деформированных оболочек образуют с положительными зарядами ядер атомов пару взаимно связанных зарядов, которые называются упругими диполями.

2. Ориентационная, или дипольная, поляризация диэлектрика с полярными молекулами. Она заключается в ориентации имеющихся дипольных моментов молекул по полю. 3. Ионная поляризация диэлектриков с ионными кристаллическими решетками, заклю­чающаяся в смещении подрешетки положительных ионов вдоль поля, а
Слайд 6

2. Ориентационная, или дипольная, поляризация диэлектрика с полярными молекулами. Она заключается в ориентации имеющихся дипольных моментов молекул по полю.

3. Ионная поляризация диэлектриков с ионными кристаллическими решетками, заклю­чающаяся в смещении подрешетки положительных ионов вдоль поля, а отрицатель­ных — против поля, приводящем к возникновению дипольных моментов.

Поляризованность и напряженность поля в диэлектрике. При помещении диэлектрика во внешнее электрическое поле он поляризуется, т. е. приобретает отличный от нуля дипольный момент: Для количественного описания поляризации диэлектрика пользуются векторной величиной — поляризованностью. Поляризованность
Слайд 7

Поляризованность и напряженность поля в диэлектрике

При помещении диэлектрика во внешнее электрическое поле он поляризуется, т. е. приобретает отличный от нуля дипольный момент:

Для количественного описания поляризации диэлектрика пользуются векторной величиной — поляризованностью. Поляризованность – дипольный момент единицы объема диэлектрика.

Поляризованность Р линейно зависит от напряженности поля Е:

— диэлектрическая восприимчивость вещества, характеризующая свойства ди­электрика.

Пластина из однородного диэлек­трика помещена в однородное внешнее электрическое поле Е0. Под действием поля диэлектрик поляризуется, т. е. происходит смещение зарядов: положительные смещаются по полю, отрицательные — против поля. Заряды +s’ и -s’ называются связанными зарядами, появляющиеся в резул
Слайд 8

Пластина из однородного диэлек­трика помещена в однородное внешнее электрическое поле Е0. Под действием поля диэлектрик поляризуется, т. е. происходит смещение зарядов: положительные смещаются по полю, отрицательные — против поля. Заряды +s’ и -s’ называются связанными зарядами, появляющиеся в результате поля­ризации диэлектрика. Связанные заряды вызывают появление электрического поля Е', кото­рое направлено против внешнего поля Е0 .

Диэлектрическая проницаемость

- поле, созданное двумя бесконечными заряженными плоскостями. Определим поверхностную плотность связанных зарядов '. Полный дипольный момент пластинки диэлектрика: - поверхностная плотность связанных зарядов ' равна поляризованности Р. С другой стороны: Приравняем и получим:
Слайд 9

- поле, созданное двумя бесконечными заряженными плоскостями.

Определим поверхностную плотность связанных зарядов '. Полный дипольный момент пластинки диэлектрика:

- поверхностная плотность связанных зарядов ' равна поляризованности Р.

С другой стороны:

Приравняем и получим:

откуда напряженность результирующего поля внутри диэлектрика равна: Безразмерная величина. называется диэлектрической проницаемостью среды.  показывает, во сколько раз поле ослабляется диэлектриком, и характеризует количественно свойство диэлектрика поляризоваться в электрическом поле.
Слайд 10

откуда напряженность результирующего поля внутри диэлектрика равна:

Безразмерная величина

называется диэлектрической проницаемостью среды.  показывает, во сколько раз поле ослабляется диэлектриком, и характеризует количественно свойство диэлектрика поляризоваться в электрическом поле.

10.9. Электрическое смещение. Теореме Гаусса для электростатического поля в диэлектрике. Вектор напряженности Е, переходя через границу диэлектриков, претерпевает скачкообразное изменение. Поэтому необходимо характеризовать поле еще вектором электрического смещения: Вектор электрического смещения мо
Слайд 11

10.9. Электрическое смещение. Теореме Гаусса для электростатического поля в диэлектрике

Вектор напряженности Е, переходя через границу диэлектриков, претерпевает скачкообразное изменение. Поэтому необходимо характеризовать поле еще вектором электрического смещения:

Вектор электрического смещения можно записать еще как:

Единица электрического смещения — кулон на метр в квадрате (Кл/м2).

Для произвольной замкнутой поверхности S поток вектора D сквозь эту поверх­ность определяется выражением: Dn — проекция вектора D на нормаль n к площадке dS. Теорема Гаусса для электростатического поля в диэлектрике: - «поток вектора смещения электростатического поля в диэлектрике сквозь произ­вольн
Слайд 12

Для произвольной замкнутой поверхности S поток вектора D сквозь эту поверх­ность определяется выражением:

Dn — проекция вектора D на нормаль n к площадке dS.

Теорема Гаусса для электростатического поля в диэлектрике:

- «поток вектора смещения электростатического поля в диэлектрике сквозь произ­вольную замкнутую поверхность равен алгебраической сумме заключенных внутри этой поверхности свободных электрических зарядов».

Вектором D описывается электростатическое поле, создаваемое свободными зарядами.

тогда поток вектора напряженности Е сквозь произ­вольную замкнутую поверхность равен: Для вакуума: - теорема Гаусса для вакуума.
Слайд 13

тогда поток вектора напряженности Е сквозь произ­вольную замкнутую поверхность равен:

Для вакуума:

- теорема Гаусса для вакуума.

10.10. Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Сегнетоэлектрики — диэлектрики, обладающие в определенном интервале температур спонтанной (самопроизвольной) поляризованностью. При отсутствии внешнего электрического поля сегнетоэлектрик представляет собой совокупность доменов — областей с различными направ
Слайд 14

10.10. Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики

Сегнетоэлектрики — диэлектрики, обладающие в определенном интервале температур спонтанной (самопроизвольной) поляризованностью.

При отсутствии внешнего электрического поля сегнетоэлектрик представляет собой совокупность доменов — областей с различными направлениями поляризованности.

Суммарный дипольный момент диэлектрика равен нулю. При внесении сегнетоэлектрика во внешнее поле происходит переориентация дипольных моментов доменов по полю

1. Смещение доменных границ под действием даже небольшого электрического поля определяет высокие значения диэлектрической проницаемости сегнетоэлектриков. Диэлектрическая проницаемость зависит от температуры и напряженности электрического поля. Особенности сегнетоэлектриков
Слайд 15

1. Смещение доменных границ под действием даже небольшого электрического поля определяет высокие значения диэлектрической проницаемости сегнетоэлектриков

Диэлектрическая проницаемость зависит от температуры и напряженности электрического поля.

Особенности сегнетоэлектриков

2. При доменной поляризации наблюдается явление гистерезиса. Это явление определяет большие потери энергии. Явление диэлектрического гистерезиса: Р0 - остаточная поляризованность. EC - коэрцитивная сила.
Слайд 16

2. При доменной поляризации наблюдается явление гистерезиса. Это явление определяет большие потери энергии.

Явление диэлектрического гистерезиса:

Р0 - остаточная поляризованность.

EC - коэрцитивная сила.

3. Сегнетоэлектрические свойства сильно зависят от температуры. Для каждого сег­нетоэлектрика имеется определенная температура, выше которой его необычные свой­ства исчезают и он становится обычным диэлектриком. Эта температура называется точкой Кюри. Потери на гистерезис, как и доменная поляризация
Слайд 17

3. Сегнетоэлектрические свойства сильно зависят от температуры. Для каждого сег­нетоэлектрика имеется определенная температура, выше которой его необычные свой­ства исчезают и он становится обычным диэлектриком. Эта температура называется точкой Кюри.

Потери на гистерезис, как и доменная поляризация, существуют лишь до точки Кюри. При нагревании выше этой температуры доменная структура исчезает и наблюдается резкое снижение tgd.

Пьезоэлектрики. К пьезоэлектрическим материалам относятся кристаллические и поликристаллические вещества с ярко выраженным пьезоэффектом. Пьезоэффект заключается в появлении электрических зарядов разного знака на противоположных гранях кристаллов при их механической деформации (сжатии, растяжении, и
Слайд 18

Пьезоэлектрики

К пьезоэлектрическим материалам относятся кристаллические и поликристаллические вещества с ярко выраженным пьезоэффектом. Пьезоэффект заключается в появлении электрических зарядов разного знака на противоположных гранях кристаллов при их механической деформации (сжатии, растяжении, изгибе, кручении) вследствие поляризации.

Обратный пьезоэффект состоит в том, что приложение к пластине постоянного напряжения вызывает в ней деформацию.

Пьезоэлектрики называют активными диэлектриками и применяют в датчиках давления и смещения.

Гексагональная элементарная ячейка содержит чередующиеся положительные и отрицательные ионы. При отсутствии внешних механических напряжений дипольный момент ячейки равен нулю. Если под действием таких напряжений ячейка растянется или сожмется, то возникает дипольный момент: Растяжение или сжатие при
Слайд 19

Гексагональная элементарная ячейка содержит чередующиеся положительные и отрицательные ионы.

При отсутствии внешних механических напряжений дипольный момент ячейки равен нулю. Если под действием таких напряжений ячейка растянется или сожмется, то возникает дипольный момент:

Растяжение или сжатие приводит к тому, что на двух противоположных гранях кристалла возникают электрические заряды.

Принцип действия

10.11. Электрическая емкость уединенного проводника. Конденсаторы. Рассмотрим уединенный проводник, т. е. проводник, который удален от других провод­ников, тел и зарядов. Его потенциал прямо пропорционален заряду проводника. Из опыта следует, что разные проводники, будучи одинаково заряжен­ными, име
Слайд 20

10.11. Электрическая емкость уединенного проводника. Конденсаторы.

Рассмотрим уединенный проводник, т. е. проводник, который удален от других провод­ников, тел и зарядов. Его потенциал прямо пропорционален заряду проводника. Из опыта следует, что разные проводники, будучи одинаково заряжен­ными, имеют различные потенциалы. Поэтому для уединенного проводника можно записать:

Величина

Емкость уединенного проводника определяется зарядом, сообщение которого проводнику изме­няет его потенциал на единицу.

называется электроемкостью уединенного проводника.

Единица электроемкости — фарад (Ф): 1 Ф — емкость такого уединенного провод­ника, потенциал которого изменяется на 1 В при сообщении ему заряда 1 Кл. Потенциал уединенного шара радиуса R, находящегося в однород­ной среде с диэлектрической проницаемостью , равен: Eмкость шара: Отсюда следует, что ем
Слайд 21

Единица электроемкости — фарад (Ф): 1 Ф — емкость такого уединенного провод­ника, потенциал которого изменяется на 1 В при сообщении ему заряда 1 Кл.

Потенциал уединенного шара радиуса R, находящегося в однород­ной среде с диэлектрической проницаемостью , равен:

Eмкость шара:

Отсюда следует, что емкостью 1 Ф обладал бы уединенный шар, находящийся в ваку­уме и имеющий радиус R=C/(40)9106 км, что примерно в 1400 раз больше радиуса Земли.

Конденсаторы. Конденсаторы – это устройства, об­ладающие способностью при малых размерах и небольших относительно окружающих тел потенциалах накапливать значительные по величине заряды. Конденсатор состоит из двух проводников, разделенных диэлектриком: Конденсаторы бывают: плоские - две плоские плас
Слайд 22

Конденсаторы

Конденсаторы – это устройства, об­ладающие способностью при малых размерах и небольших относительно окружающих тел потенциалах накапливать значительные по величине заряды.

Конденсатор состоит из двух проводников, разделенных диэлектриком:

Конденсаторы бывают: плоские - две плоские пластины; 2) цилиндрические - два коаксиальных цилиндра; 3) Сферические - две концентрические сферы.

Под емкостью конденсатора понимается физическая величина, равная отноше­нию заряда Q, накопленного в конденсаторе, к разности потенциалов (1 —2) между его обкладками: 1. Рассчитаем емкость плоского конденсатора, состоящего из двух параллельных металлических пластин площадью S каждая, расположенных
Слайд 23

Под емкостью конденсатора понимается физическая величина, равная отноше­нию заряда Q, накопленного в конденсаторе, к разности потенциалов (1 —2) между его обкладками:

1. Рассчитаем емкость плоского конденсатора, состоящего из двух параллельных металлических пластин площадью S каждая, расположенных на расстоянии d друг от друга и имеющих заряды +Q и –Q .

Заменив Q=S, получим выражение для емкости плоского конденсатора:

2. Определим емкость цилиндрического конденсатора, состоящего из двух полых коаксиаль­ных цилиндров с радиусами r1 и r2 (r2 > r1), вставленных один в другой. Разность потенциалов между обкладками для поля равномерно заряженного бесконечного цилиндра с линейной плотностью  =Q/l (l—длина об­кладок
Слайд 24

2. Определим емкость цилиндрического конденсатора, состоящего из двух полых коаксиаль­ных цилиндров с радиусами r1 и r2 (r2 > r1), вставленных один в другой. Разность потенциалов между обкладками для поля равномерно заряженного бесконечного цилиндра с линейной плотностью  =Q/l (l—длина об­кладок) :

Емкость цилиндрического конденсатора:

3. Определим емкость сферического конденсатора, состоящего из двух концентрических обкладок, разделенных сферическим слоем диэлектрика. Разность потенциалов между двумя точками, лежащими на расстояниях r1 и r2 (r2 > r1) от центра заряженной сферической поверхности: Емкость конденсатора любой форм
Слайд 25

3. Определим емкость сферического конденсатора, состоящего из двух концентрических обкладок, разделенных сферическим слоем диэлектрика. Разность потенциалов между двумя точками, лежащими на расстояниях r1 и r2 (r2 > r1) от центра заряженной сферической поверхности:

Емкость конденсатора любой формы прямо пропорциональна диэлектрической проницаемости диэлектрика, заполняющего пространство между обкладками.

Емкость сферического конденсатора:

Соединения конденсаторов. Параллельное соединение конденсаторов У параллельно соединенных конденсаторов разность потенциалов на обкладках конденсаторов одинакова и равна A – B. Если емкости отдельных конденсаторов С1, С2, ..., Сn, то их заряды равны: а заряд батареи конденсаторов: Полная емкость б
Слайд 26

Соединения конденсаторов

Параллельное соединение конденсаторов У параллельно соединенных конденсаторов разность потенциалов на обкладках конденсаторов одинакова и равна A – B. Если емкости отдельных конденсаторов С1, С2, ..., Сn, то их заряды равны:

а заряд батареи конденсаторов:

Полная емкость батареи:

Последовательное соединение конденсаторов. У последовательно соеди­ненных конденсаторов заряды всех обкладок равны по модулю, а разность потенци­алов на зажимах батареи: Для любого из рассматриваемых конденсаторов i = Q/Сi. т. е. при последовательном соединении конденсаторов суммируются величины,
Слайд 27

Последовательное соединение конденсаторов. У последовательно соеди­ненных конденсаторов заряды всех обкладок равны по модулю, а разность потенци­алов на зажимах батареи:

Для любого из рассматриваемых конденсаторов i = Q/Сi.

т. е. при последовательном соединении конденсаторов суммируются величины, об­ратные емкостям.

10.12. Условия на границе раздела двух диэлектрических сред. Рассмотрим связь между векторами Е и D на границе раздела двух однородных изотропных диэлектриков. Диэлектрические проницаемости сред 1 и 2 . Построим вблизи границы раздела диэлектриков 1 и 2 небольшой замкнутый прямоугольный контур ABC
Слайд 28

10.12. Условия на границе раздела двух диэлектрических сред

Рассмотрим связь между векторами Е и D на границе раздела двух однородных изотропных диэлектриков. Диэлектрические проницаемости сред 1 и 2 .

Построим вблизи границы раздела диэлектриков 1 и 2 небольшой замкнутый прямоугольный контур ABCDA длины l .

Циркуляция вектора Е:

Значит: Заменив, согласно проекции вектора Е проекциями вектора D, деленными на 0, получим: Тогда:
Слайд 29

Значит:

Заменив, согласно проекции вектора Е проекциями вектора D, деленными на 0, получим:

Тогда:

На границе раздела двух диэлектриков построим прямой цилиндр ничтожно малой высоты, одно основание которого находится в первом диэлектрике, другое — во втором. Основания S настолько малы, что в пределах каждого из них вектор D одинаков. Согласно теореме Гаусса:
Слайд 30

На границе раздела двух диэлектриков построим прямой цилиндр ничтожно малой высоты, одно основание которого находится в первом диэлектрике, другое — во втором. Основания S настолько малы, что в пределах каждого из них вектор D одинаков.

Согласно теореме Гаусса:

Заменив проекции вектора D проекциями вектора Е, умноженными на 0, получим: Выводы: При переходе через границу раздела двух диэлектрических сред тангенциальная составляющая вектора Е (Е) и нормальная составляющая вектора D (Dn) изменяются непрерывно. При переходе через границу нормальная составля
Слайд 31

Заменив проекции вектора D проекциями вектора Е, умноженными на 0, получим:

Выводы: При переходе через границу раздела двух диэлектрических сред тангенциальная составляющая вектора Е (Е) и нормальная составляющая вектора D (Dn) изменяются непрерывно. При переходе через границу нормальная составляющая вектора Е (En) и тангенциальная составляющая вектора D (D) претерпевают скачок. При переходе через границу вектора Е и D преломляются.

Закон преломления линий напряжен­ности Е и линий смещения D : Эта формула показывает, что, входя в диэлектрик с большей диэлектрической проница­емостью, линии Е и D удаляются от нормали. Найдем связь между углами 1 и 2 . Разложим векторы E1 и E2 у границы раздела на тангенциальные и нормальные сос
Слайд 32

Закон преломления линий напряжен­ности Е и линий смещения D :

Эта формула показывает, что, входя в диэлектрик с большей диэлектрической проница­емостью, линии Е и D удаляются от нормали.

Найдем связь между углами 1 и 2 . Разложим векторы E1 и E2 у границы раздела на тангенциальные и нормальные составляющие.

10.13. Проводники в электростатическом поле. Если проводник поместить в электростатическое поле, то это поле будет действовать на заряды проводника, в результате чего они начнут перемещаться. Заряды будут перемещаться до тех пор, пока не установится равновесное распределение зарядов, при котором эле
Слайд 33

10.13. Проводники в электростатическом поле

Если проводник поместить в электростатическое поле, то это поле будет действовать на заряды проводника, в результате чего они начнут перемещаться.

Заряды будут перемещаться до тех пор, пока не установится равновесное распределение зарядов, при котором электростатическое поле внутри проводника обращается в нуль.

Тогда напряженность поля во всех точках внутри проводника будет равна нулю:

Отсутствие поля внутри проводника означает, что потенциал во всех точках внутри проводника постоянен ( = const), т. е. поверхность проводника в электростатическом поле является эквипотенциальной.

Заряд Q, находящийся внутри проводника в некотором объеме, ограниченном произвольной замкнутой поверхностью, равен: так как во всех точках внутри поверхности D=0. Со­гласно теореме Гаусса, этот поток (DS) равен сумме зарядов (Q=S), охваты­ваемых поверхностью: DS=S т.е.  — диэлектрическая прон
Слайд 34

Заряд Q, находящийся внутри проводника в некотором объеме, ограниченном произвольной замкнутой поверхностью, равен:

так как во всех точках внутри поверхности D=0.

Со­гласно теореме Гаусса, этот поток (DS) равен сумме зарядов (Q=S), охваты­ваемых поверхностью: DS=S т.е.

 — диэлектрическая проницаемость среды, окружающей проводник.

Если во внешнее электростатическое поле внести нейтральный проводник, то свободные заряды будут перемещаться: положительные — по полю, отрицательные — против поля. На одном конце проводника будет скап­ливаться избыток положительного заряда, на другом — избыток отрицательного. Эти заряды называются и
Слайд 35

Если во внешнее электростатическое поле внести нейтральный проводник, то свободные заряды будут перемещаться: положительные — по полю, отрицательные — против поля. На одном конце проводника будет скап­ливаться избыток положительного заряда, на другом — избыток отрицательного. Эти заряды называются индуцированными.

Процесс будет происходить до тех пор, пока напряженность поля внутри проводника не станет равной нулю, а линии напряжен­ности вне проводника — перпендикулярными его поверхности.

Индуцированные заряды распределяются на внешней поверхности проводника. Явление перераспределения поверхностных зарядов на проводнике во внешнем электростатическом поле называется электростати­ческой индукцией. Индуцированные заряды появляются на проводнике вследствие смещения их под действием поля,
Слайд 36

Индуцированные заряды распределяются на внешней поверхности проводника. Явление перераспределения поверхностных зарядов на проводнике во внешнем электростатическом поле называется электростати­ческой индукцией.

Индуцированные заряды появляются на проводнике вследствие смещения их под действием поля, т. е.  является поверхностной плот­ностью смещенных зарядов. Электрическое смещение D вблизи проводника численно равно поверхностной плотности смещенных зарядов. Поэтому вектор D по­лучил название вектора электрического смещения.

Список похожих презентаций

Типы элементарных частиц

Типы элементарных частиц

Аристотель считал, что вещество во Вселенной состоит из четырех основных элементов – земли, воздуха, огня и воды. По Аристотелю, вещество непрерывно, ...
Типы излучений

Типы излучений

Тепловое излучение. Это самый распространенный и простой вид излучения. Тепловыми источниками излучения являются:. Солнце Пламя. Лампа накаливания. ...
Типы самостоятельного разряда

Типы самостоятельного разряда

ТЛЕЮЩИЙ РАЗРЯД А К I II III IV. I – катодное темное пространство II – отрицательное (тлеющее) свечение III – фарадеево темное пространство IV – положительный ...
Типы тепловых двигателей

Типы тепловых двигателей

Содержание. Стартовый слайд Содержание Краткая история развития Т.Д. Типы тепловых двигателей Двигатель внутреннего сгорания Паровая турбина Ракетный ...
Типы лазеров

Типы лазеров

Первый лазер на рубине, созданный в ФИАНе М.Д.Галаниным, А.М.Леонтовичем, З.А.Чижиковой, 1960 год. Схема устройства на примере рубинового лазера. ...
Типы конденсаторов и их применение

Типы конденсаторов и их применение

Конденсатор - устройство для накопления заряда. Один из самых распространенных электрических компонентов. Существует множество разных типов конденсаторов, ...
Типы интегральных схем

Типы интегральных схем

p-n переход. Полупроводники, из которых изготовляют транзисторы и диоды, разделяются на полупроводники с электронной - n( negative - отрицательный) ...
Линзы. Типы линз

Линзы. Типы линз

Линза – прозрачное тело (обычно стеклянное), ограниченное двумя сферическими поверхностями. Является одним из основных элементов оптических систем. ...
Радиосвязь физика

Радиосвязь физика

Вопросы. Что такое и колебательный контур? Для чего он предназначен Какие превращения энергии происходят в колебательном контуре? Чем отличается открытый ...
Презентации и физика

Презентации и физика

Актуальность. «Главная задача современной школы - это раскрытие способностей каждого ученика, воспитание личности, готовой к жизни в высокотехнологичном, ...
Науки и физика

Науки и физика

ИНТЕГРАЦИЯ — (лат. Integratio- восстановление-восполнение) процесс сближения и связи наук, состояние связанности отдельных частей в одно целое, а ...
Молекулярная физика и термодинамика

Молекулярная физика и термодинамика

Содержание:. Структура и содержание МКТ. Основные положения МКТ. Опытные обоснования МКТ. Роль диффузии и броуновского движения в природе и технике. ...
Молекулярная физика

Молекулярная физика

Цель: повторение основных понятий, законов и формул МОЛЕКУЛЯРНОЙ ФИЗИКИ в соответствии с кодификатором ЕГЭ. Элементы содержания, проверяемые на ЕГЭ ...
Квантовая физика

Квантовая физика

П Л А Н 1. СТО А. Эйнштейна. 2. Тепловое излучение. 3. Фотоэффект. 4. Люминесценция. 5. Химическое действие света. 6. Световое давление. 7. Физический ...
Свободное падение физика

Свободное падение физика

Свободное падение тел впервые исследовал Галилей, который установил, что свободно падающие тела движутся равноускоренно с одинаковым для всех тел ...
Строение атома Квантовая физика

Строение атома Квантовая физика

строение атома 11 квантовая физика ФИЗИКА КЛАСС. Данный урок проводится по типу телевизионной передачи…. Квантовая физика. Строения атома. ВЫХОД. ...
«Давление твёрдых тел» физика

«Давление твёрдых тел» физика

Физический диктант. Обозначение площади – Единица площади – Площадь прямоугольника – Обозначение силы – Единица силы – Формула силы тяжести – Обозначение ...
Капиллярные явления физика

Капиллярные явления физика

Ищем:. Капиллярные явления Модель капиллярного вечного двигателя Объяснение невозможности создания такого двигателя. Капиллярные явления. Заключаются ...
«Механические волны» физика

«Механические волны» физика

Цель исследования: установить с научной точки зрения, что такое звук. Задачи исследования: 1.    Изучить физическую теорию звука. 2.    Исследовать историю ...
Лампы накаливания физика

Лампы накаливания физика

Актуальность. 2 июля 2009 года Президент России Дмитрий Медведев, выступая на заседании президума Госсовета по вопросам повышения энергоэффективности ...

Советы как сделать хороший доклад презентации или проекта

  1. Постарайтесь вовлечь аудиторию в рассказ, настройте взаимодействие с аудиторией с помощью наводящих вопросов, игровой части, не бойтесь пошутить и искренне улыбнуться (где это уместно).
  2. Старайтесь объяснять слайд своими словами, добавлять дополнительные интересные факты, не нужно просто читать информацию со слайдов, ее аудитория может прочитать и сама.
  3. Не нужно перегружать слайды Вашего проекта текстовыми блоками, больше иллюстраций и минимум текста позволят лучше донести информацию и привлечь внимание. На слайде должна быть только ключевая информация, остальное лучше рассказать слушателям устно.
  4. Текст должен быть хорошо читаемым, иначе аудитория не сможет увидеть подаваемую информацию, будет сильно отвлекаться от рассказа, пытаясь хоть что-то разобрать, или вовсе утратит весь интерес. Для этого нужно правильно подобрать шрифт, учитывая, где и как будет происходить трансляция презентации, а также правильно подобрать сочетание фона и текста.
  5. Важно провести репетицию Вашего доклада, продумать, как Вы поздороваетесь с аудиторией, что скажете первым, как закончите презентацию. Все приходит с опытом.
  6. Правильно подберите наряд, т.к. одежда докладчика также играет большую роль в восприятии его выступления.
  7. Старайтесь говорить уверенно, плавно и связно.
  8. Старайтесь получить удовольствие от выступления, тогда Вы сможете быть более непринужденным и будете меньше волноваться.

Информация о презентации

Ваша оценка: Оцените презентацию по шкале от 1 до 5 баллов
Дата добавления:4 июня 2019
Категория:Физика
Содержит:36 слайд(ов)
Поделись с друзьями:
Скачать презентацию
Смотреть советы по подготовке презентации