- Типы интегральных схем

Презентация "Типы интегральных схем" по физике – проект, доклад

Слайд 1
Слайд 2
Слайд 3
Слайд 4
Слайд 5
Слайд 6
Слайд 7
Слайд 8
Слайд 9
Слайд 10
Слайд 11
Слайд 12
Слайд 13
Слайд 14

Презентацию на тему "Типы интегральных схем" можно скачать абсолютно бесплатно на нашем сайте. Предмет проекта: Физика. Красочные слайды и иллюстрации помогут вам заинтересовать своих одноклассников или аудиторию. Для просмотра содержимого воспользуйтесь плеером, или если вы хотите скачать доклад - нажмите на соответствующий текст под плеером. Презентация содержит 14 слайд(ов).

Слайды презентации

Типы интегральных схем. Дополнительный материал по теме: “Полупроводники”. Учитель физики Кюкяйской СОШ Сунтарского улуса Республики Саха Федоров А. М.
Слайд 1

Типы интегральных схем

Дополнительный материал по теме: “Полупроводники”

Учитель физики Кюкяйской СОШ Сунтарского улуса Республики Саха Федоров А. М.

p-n переход. Полупроводники, из которых изготовляют транзисторы и диоды, разделяются на полупроводники с электронной - n( negative - отрицательный) и дырочной – p (positive – положительный) проводимостью. Принцип действия полупроводниковых диодов основан на свойствах p-n перехода, когда в контакте н
Слайд 2

p-n переход

Полупроводники, из которых изготовляют транзисторы и диоды, разделяются на полупроводники с электронной - n( negative - отрицательный) и дырочной – p (positive – положительный) проводимостью. Принцип действия полупроводниковых диодов основан на свойствах p-n перехода, когда в контакте находятся два полупроводника p и n типа. В месте контакта происходит диффузия положительных зарядов (дырок) из области p в область n, а электронов обратно, из n в p. Однако без внешнего воздействия процесс стабилизируется, потому что образуется так называемый запирающий слой.

__ __ __ __ __ __ __ __ n p + + + + + + _ _ _ _ _ _ + + + + + + + + + + + + + +

Полупроводниковые диоды. При подключении к области p “ плюса “ источника электрического тока, а к n “минуса”, запирающий слой разрушится, такой диод будет проводить ток. Если осуществить подключение источника питания наоборот, т. е. к p – “минус”, а к n – “плюс”, то ток будет фактически равен нулю.
Слайд 3

Полупроводниковые диоды

При подключении к области p “ плюса “ источника электрического тока, а к n “минуса”, запирающий слой разрушится, такой диод будет проводить ток. Если осуществить подключение источника питания наоборот, т. е. к p – “минус”, а к n – “плюс”, то ток будет фактически равен нулю. Это основное свойство полупроводниковых диодов позволяет применять их в качестве выпрямителей тока. Большинство полупроводников делается из кремния и германия с различными добавками, из оксидов некоторых металлов. В зависимости от добавок они имеют n- или p-тип.

А К прямое вкл обратное вкл

Транзистор. Транзистор представляет собой трехслойную структуру из таких же полупроводниковых материалов, однако в основе его работы лежит не один, а два p-n перехода. Внешние слои называют эмиттером и коллектором, а средний (обычно очень тонкий, порядка нескольких микрон) слой – базой.
Слайд 4

Транзистор

Транзистор представляет собой трехслойную структуру из таких же полупроводниковых материалов, однако в основе его работы лежит не один, а два p-n перехода. Внешние слои называют эмиттером и коллектором, а средний (обычно очень тонкий, порядка нескольких микрон) слой – базой.

Биполярный транзистор. Тип n – p – n Тип p – n – p Э Б. Основной недостаток биполярного транзистора – большое потребление энергии и выделение тепла.
Слайд 5

Биполярный транзистор

Тип n – p – n Тип p – n – p Э Б

Основной недостаток биполярного транзистора – большое потребление энергии и выделение тепла.

Полевой транзистор. В качестве альтернативы был разработан полевой транзистор. Он представляет собой однополярный полупроводниковый прибор, выводы которого называются исток, сток, затвор. При подаче напряжения на затвор и сток( или соответственно исток) носители заряда, электроны в областях с провод
Слайд 6

Полевой транзистор

В качестве альтернативы был разработан полевой транзистор. Он представляет собой однополярный полупроводниковый прибор, выводы которого называются исток, сток, затвор. При подаче напряжения на затвор и сток( или соответственно исток) носители заряда, электроны в областях с проводимостью n- типа (или дырки в областях с проводимостью p- типа), проходят через возникающий под затвором тонкий проводящий канал.

МОП - транзисторы. Полевые транзисторы с изолированным затвором – МДМ(металл – диэлектрик – полупроводник). МОП- транзисторы более экономичны. Транзистор, изобретенный в 1948 г., лежит в основе всех современных микросхем и микропроцессоров. Его авторы- Уильям Шокли, Уолтер Браттейн, Джон Бардин полу
Слайд 7

МОП - транзисторы

Полевые транзисторы с изолированным затвором – МДМ(металл – диэлектрик – полупроводник). МОП- транзисторы более экономичны.

Транзистор, изобретенный в 1948 г., лежит в основе всех современных микросхем и микропроцессоров. Его авторы- Уильям Шокли, Уолтер Браттейн, Джон Бардин получили Нобелевскую премию по физике в 1956 г.

Применение транзисторов в вычислительной технике. Состояние транзистора, когда через коллектор течет большой ток, можно условно принять за 1, а малый – за 0. Вначале транзисторы изготовлялись как отдельные элементы и представляли собой цилиндры диаметром в десяток миллиметров с несколькими проволочн
Слайд 8

Применение транзисторов в вычислительной технике

Состояние транзистора, когда через коллектор течет большой ток, можно условно принять за 1, а малый – за 0. Вначале транзисторы изготовлялись как отдельные элементы и представляли собой цилиндры диаметром в десяток миллиметров с несколькими проволочными выводами.

ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ. Полупроводниковая микросхема — все элементы и межэлементные соединения выполнены на одном полупроводниковом кристалле (например, кремния, германия, арсенида галлия). Плёночная микросхема — все элементы и межэлементные соединения выполнены в виде плёнок: толстоплёночная интег
Слайд 9

ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Полупроводниковая микросхема — все элементы и межэлементные соединения выполнены на одном полупроводниковом кристалле (например, кремния, германия, арсенида галлия). Плёночная микросхема — все элементы и межэлементные соединения выполнены в виде плёнок: толстоплёночная интегральная схема; тонкоплёночная интегральная схема. Гибридная микросхема — кроме полупроводникового кристалла содержит несколько бескорпусных диодов, транзисторов и(или) других электронных компонентов, помещённых в один корпус.

Классификация микросхем. В СССР были предложены следующие названия микросхем в зависимости от степени интеграции (указано количество элементов для цифровых схем): Малая интегральная схема (МИС) — до 100 элементов в кристалле. Средняя интегральная схема (СИС) — до 1000 элементов в кристалле. Большая
Слайд 10

Классификация микросхем

В СССР были предложены следующие названия микросхем в зависимости от степени интеграции (указано количество элементов для цифровых схем): Малая интегральная схема (МИС) — до 100 элементов в кристалле. Средняя интегральная схема (СИС) — до 1000 элементов в кристалле. Большая интегральная схема (БИС) — до 10000 элементов в кристалле. Сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — до 1 миллиона элементов в кристалле. Ультрабольшая интегральная схема (УБИС) — до 1 миллиарда элементов в кристалле. Гигабольшая интегральная схема (ГБИС) — более 1 миллиарда элементов в кристалле. В настоящее время название ГБИС практически не используется (например, последние версии процессоров Pentium 4 содержат пока несколько сотен миллионов транзисторов), и все схемы с числом элементов, превышающим 10 000, относят к классу СБИС, считая УБИС его подклассом.

Интегральная микросхема может обладать законченным, сколь угодно сложным, функционалом — вплоть до целого микрокомпьютера (однокристальный микрокомпьютер).

Корпуса микросхем. Микросхемы выпускаются в двух конструктивных вариантах — корпусном и бескорпусном. Бескорпусная микросхема — это полупроводниковый кристалл, предназначенный для монтажа в гибридную микросхему или микросборку. Корпус — это часть конструкции микросхемы, предназначенная для защиты от
Слайд 11

Корпуса микросхем

Микросхемы выпускаются в двух конструктивных вариантах — корпусном и бескорпусном. Бескорпусная микросхема — это полупроводниковый кристалл, предназначенный для монтажа в гибридную микросхему или микросборку. Корпус — это часть конструкции микросхемы, предназначенная для защиты от внешних воздействий и для соединения с внешними электрическими цепями посредством выводов. Корпуса стандартизованы для упрощения технологического процесса изготовления изделий из разных микросхем. Число стандартных корпусов исчисляется сотнями. В российских корпусах расстояние между выводами измеряется в миллиметрах и наиболее часто это 2,5 мм или 1,25 мм. У импортных микросхем расстояние измеряют в дюймах, используя величину 1/10 или 1/20 дюйма, что соответствует 2,54 и 1,28 мм. В корпусах до 16 выводов эта разница не значительна, а при больших размерах идентичные корпуса уже несовместимы. В современных импортных корпусах для поверхностного монтажа применяют и метрические размеры: 0,8 мм; 0,65 мм и другие.

Вид обрабатываемого сигнала. Все микросхемы подразделяют на две группы - аналоговые и цифровые. Аналоговые микросхемы предназначены для работы с непрерывными во времени сигналами. К их числу можно отнести усилители радио-, звуковой и промежуточной частот, операционные усилители, стабилизаторы напряж
Слайд 12

Вид обрабатываемого сигнала

Все микросхемы подразделяют на две группы - аналоговые и цифровые. Аналоговые микросхемы предназначены для работы с непрерывными во времени сигналами. К их числу можно отнести усилители радио-, звуковой и промежуточной частот, операционные усилители, стабилизаторы напряжения и др. Для аналоговых микросхем характерно то, что входная и выходная электрические величины могут иметь любые значения в заданном диапазоне. В цифровых же микросхемах входные и выходные сигналы могут иметь один из двух уровней напряжения: высокий или низкий. В первом случае говорят, что мы имеем дело с высоким логическим уровнем, или логической 1, а во втором - с низким логическим уровнем, или логическим 0.

В основу работы цифровых микросхем положена двоичная система счисления. В этой системе используются две цифры: 0 и 1. Цифра 0 соответствует отсутствию напряжения на выходе логического устройства, 1 - наличию напряжения. С помощью нулей и единиц двоичной системы можно записать (закодировать) любое десятичное число. Так, для записи одноразрядного десятичного числа требуются четыре двоичных разряда. Сказанное поясняется табл. 1.

В первом столбце таблицы (ее называют таблицей истинности) записаны десятичные числа от 0 до 9, а в последующих четырех столбцах - разряды двоичного числа. Видно, что число в последующей строке получается в результате прибавления 1 к первому разряду двоичного числа. С помощью четырех разрядов можно
Слайд 13

В первом столбце таблицы (ее называют таблицей истинности) записаны десятичные числа от 0 до 9, а в последующих четырех столбцах - разряды двоичного числа. Видно, что число в последующей строке получается в результате прибавления 1 к первому разряду двоичного числа. С помощью четырех разрядов можно записать числа от 0000 до 1111, что соответствует диапазону чисел от 0 до 15 в десятичной системе. Таким образом, если двоичное число содержит N разрядов, то с его помощью можно записать максимальное десятичное число, равное 2^(N-1). По таблице также несложно заметить, как можно перевести число из двоичной системы в десятичную. Для этого достаточно сложить степени числа 2, соответствующие тем разрядам, в которых записаны логические 1. Так, двоичное число 1001 соответствует десятичному числу 9 (2^3 + 2^0). Двоичную систему счисления используют в большинстве современных цифровых вычислительных машин.

СПАСИБО ЗА ВНИМАНИЕ!
Слайд 14

СПАСИБО ЗА ВНИМАНИЕ!

Список похожих презентаций

Типы элементарных частиц

Типы элементарных частиц

Аристотель считал, что вещество во Вселенной состоит из четырех основных элементов – земли, воздуха, огня и воды. По Аристотелю, вещество непрерывно, ...
Типы самостоятельного разряда

Типы самостоятельного разряда

ТЛЕЮЩИЙ РАЗРЯД А К I II III IV. I – катодное темное пространство II – отрицательное (тлеющее) свечение III – фарадеево темное пространство IV – положительный ...
Типы тепловых двигателей

Типы тепловых двигателей

Содержание. Стартовый слайд Содержание Краткая история развития Т.Д. Типы тепловых двигателей Двигатель внутреннего сгорания Паровая турбина Ракетный ...
Типы лазеров

Типы лазеров

Первый лазер на рубине, созданный в ФИАНе М.Д.Галаниным, А.М.Леонтовичем, З.А.Чижиковой, 1960 год. Схема устройства на примере рубинового лазера. ...
Типы конденсаторов и их применение

Типы конденсаторов и их применение

Конденсатор - устройство для накопления заряда. Один из самых распространенных электрических компонентов. Существует множество разных типов конденсаторов, ...
Типы излучений

Типы излучений

Тепловое излучение. Это самый распространенный и простой вид излучения. Тепловыми источниками излучения являются:. Солнце Пламя. Лампа накаливания. ...
Типы и поэлиризация диалектиков

Типы и поэлиризация диалектиков

10.8. Типы диэлектриков. Поляризация диэлектриков. В зависимости от вида молекул диэлектрики делятся на три группы. Первую группу диэлектриков составляют ...
Линзы. Типы линз

Линзы. Типы линз

Линза – прозрачное тело (обычно стеклянное), ограниченное двумя сферическими поверхностями. Является одним из основных элементов оптических систем. ...

Конспекты

Сборка последовательных и параллельных электрических схем

Сборка последовательных и параллельных электрических схем

Барышенская Елена Николаевна. МОУ «Дубовская средняя общеобразовательная школа Белгородского района Белгородской области». . УРОК ФИЗИКИ В 8КЛАССЕ. ...

Советы как сделать хороший доклад презентации или проекта

  1. Постарайтесь вовлечь аудиторию в рассказ, настройте взаимодействие с аудиторией с помощью наводящих вопросов, игровой части, не бойтесь пошутить и искренне улыбнуться (где это уместно).
  2. Старайтесь объяснять слайд своими словами, добавлять дополнительные интересные факты, не нужно просто читать информацию со слайдов, ее аудитория может прочитать и сама.
  3. Не нужно перегружать слайды Вашего проекта текстовыми блоками, больше иллюстраций и минимум текста позволят лучше донести информацию и привлечь внимание. На слайде должна быть только ключевая информация, остальное лучше рассказать слушателям устно.
  4. Текст должен быть хорошо читаемым, иначе аудитория не сможет увидеть подаваемую информацию, будет сильно отвлекаться от рассказа, пытаясь хоть что-то разобрать, или вовсе утратит весь интерес. Для этого нужно правильно подобрать шрифт, учитывая, где и как будет происходить трансляция презентации, а также правильно подобрать сочетание фона и текста.
  5. Важно провести репетицию Вашего доклада, продумать, как Вы поздороваетесь с аудиторией, что скажете первым, как закончите презентацию. Все приходит с опытом.
  6. Правильно подберите наряд, т.к. одежда докладчика также играет большую роль в восприятии его выступления.
  7. Старайтесь говорить уверенно, плавно и связно.
  8. Старайтесь получить удовольствие от выступления, тогда Вы сможете быть более непринужденным и будете меньше волноваться.

Информация о презентации

Ваша оценка: Оцените презентацию по шкале от 1 до 5 баллов
Дата добавления:14 сентября 2014
Категория:Физика
Автор презентации:Федоров Александр Михайлович
Содержит:14 слайд(ов)
Поделись с друзьями:
Скачать презентацию
Смотреть советы по подготовке презентации