Презентация "Параметры биполярных транзистров" по технологиям – проект, доклад

Тема урока: « Эквивалентные схемы. Параметры биполярных транзисторов

Цели занятия: обучающие: а) показать студентам процесс составления заданий на основе принципа последовательности: «от простой к усложняющейся дидактической величине», путем изменения числовых и введения буквенных коэффициентов; б) продолжить формирование умений и навыков при решении заданий по теме: «Эквивалентные схемы и параметры биполярных транзисторов»; в)формирование профессионализма технических знаний; г) сформировать умение делать оценки некоторых величин характеризующих и влияющих на работу биполярных транзисторов. развивающие: учить анализировать, выделять главное, обобщать, доказывать и опровергать логические выводы в предложенной дидактической величине. формировать на репродуктивном уровне проектные умения анализа, обобщения. воспитательные: а) обосновать значимость психологического аспекта изучаемой темы в курсе электронной техники; б) вырабатывать умение действовать в ситуации, отличной от заданного алгоритма.

Фронтальный опрос Дать определение биполярного транзистора. Какие типы биполярных транзисторов знаете? Назовите особенности биполярного транзистора. 4. Что является основным носителем заряда в эмиттере и коллекторе? Что является основным носителем заряда в базе? 6. Описать принцип работы n-p-n транзистора

7.Перечислить режимы работы биполярного транзистора и дать краткую характеристику каждому режиму 8. Показать структурную схему и условное графическое изображение биполярных транзисторов. 9.Перечислить схемы включения биполярных транзисторов 10.Показать схемы включение биполярного транзистора.

Биполярные транзисторы

Полупроводниковый прибор, имеющий три электрода и два взаимодействующих между собой p–n-перехода, называется биполярным транзистором.

Биполярные транзисторы (БТ) Тип транзистора с тремя слоями полупроводника, различают n-p-n и p-n-p транзисторы, где n (negative) – электронный тип примесной проводимости, p (positive) – дырочный. Основные носители заряда: электроны и дырки («би» – два); электроды эмиттер, база, коллектор.

Особенности транзистора: - площадь p-n перехода коллектора больше, чем эмиттера; - в базе мало носителей заряда, ее толщина невелика. Биполярный транзистор основной элемент усилителей и интегральных микросхем (операционные усилители, транзисторно-транзисторная, диодно-транзисторная логика и т.д.).

Эмиттер (Э), Коллектор (К): основные заряды электроны, не основные дырки; База (Б): основные заряды дырки, не основные электроны; p-n переходы П1, П2 образованы ионами полупроводника.

База вызывает электроны из эмиттера, но переход эмиттер – коллектор для них открыт (здесь они не основные заряды) и большая часть уходит в коллектор, совсем немного доходит до базы. За счет этого происходит усиление базового тока (ток коллектора).

n-p-n

Режимы работы биполярного транзистора

В зависимости от того, какие напряжения действуют на переходах, различают 3 режима работы транзистора: активный режим работы или режим усиления, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении , а коллекторный в обратном; режим насыщения, когда оба перехода смещены в прямом направлении; режим отсечки, когда оба перехода смещены в обратном направлении.

Биполярные транзисторы n-p-n и p-n-p типа Структурная схема и графическое обозначение.

Схемы включения БТ: с общей базой (ОБ), общим эмиттером (ОЭ), общим коллектором (ОК) .

ОБ ОЭ ОК

Включение биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером

Включение биполярного транзистора n-p-n- типа по схеме с общим коллектором.

Включение биполярного транзистора n-p-n- типа по схеме с общей базой.

Схема с общим эмиттером

Эквивалентные схемы и параметры биполярного транзистора (Объяснение нового материала)

Параметры биполярного транзистора

собственные (или первичные)

вторичные

характеризуют свойства самого транзистора.

различны, для различных схем включения.

Статические характеристики биполярных транзисторов Статический режим работы транзистора – режим работы при отсутствии нагрузки в выходной цепи. Статические характеристики связывают постоянные токи электродов с постоянными напряжениями на них- это графически выраженные зависимости напряжения и тока входной цепи и выходной цепи (вольтамперные характеристики ВАХ). Их вид зависит от способа включения транзистора.

статический коэффициент передачи IЭ или : статический коэффициент усиления по току

Статический коэффициент передачи тока базы :

Эквивалентная Т- образная схема транзистора с генератором ЭДС

Эквивалентная Т- образная схема транзистора с генератором тока

Эквивалентная Т – образная схема транзистора включенного по схеме ОЭ- эквивалентная схема с генератором тока

h параметры схемы с общим эмиттером h11Э = UБЭ/IБ, при UКЭ = const: входное сопротивление транзистора переменному току при отсутствии выходного переменного напряжения. h12Э = UБЭ/UКЭ, при IБ = const: коэффициент обратной связи по напряжению – доля выходного переменного напряжения передаваемая на вход транзистора вследствие обратной связи в нем. h21Э = IК/IБ, при UКЭ = const: коэффициент усилия по току – усиление переменного тока транзистором при работе без нагрузки. h22Э = IК/UКЭ, при IБ = const: выходная проводимость переменного тока между коллектором и эмиттером. Выходное сопротивление RВЫХ = 1/h22Э.

UmБЭ = h11Э ImБ + h12Э UmКЭ ImК = h21Э ImБ + h22Э UmКЭ

Эквивалентная схема БТ, система h-параметров

Схема с общим эмиттером применяется для усиления напряжения, тока, мощности

Практическая часть Расчет схемы с общим эмиттером

Коэффициент усиления по току:

или

Входное сопротивление:

- мощность рассеиваемая на транзисторе (тепловой пробой Т).

(десятки-сотни).

(десятки-сотни Ом).

Выходное сопротивление:

(сотни Ом – кОмы)

Коэффициент усиления по напряжению:

Коэффициент усиления по мощности:

Коэффициент полезного действия:

полная потребляемая мощность схемы

КОНЕЦ