Презентация "Эмиттеры" по физике – проект, доклад

Слайд 1
Слайд 2
Слайд 3
Слайд 4
Слайд 5
Слайд 6
Слайд 7
Слайд 8
Слайд 9
Слайд 10
Слайд 11
Слайд 12
Слайд 13
Слайд 14
Слайд 15
Слайд 16
Слайд 17
Слайд 18
Слайд 19
Слайд 20
Слайд 21
Слайд 22
Слайд 23
Слайд 24
Слайд 25
Слайд 26

Презентацию на тему "Эмиттеры" можно скачать абсолютно бесплатно на нашем сайте. Предмет проекта: Физика. Красочные слайды и иллюстрации помогут вам заинтересовать своих одноклассников или аудиторию. Для просмотра содержимого воспользуйтесь плеером, или если вы хотите скачать доклад - нажмите на соответствующий текст под плеером. Презентация содержит 26 слайд(ов).

Слайды презентации

Разработка SiC автоэмиттеров. Автор – аспирант ТТИ ЮФУ Волков Е. Ю. Научный руководитель – к.т.н., доцент Светличный А.М. Южный Федеральный университет Технологический институт в г. Таганроге Факультет электроники и приборостроения Кафедра технологии микро- и наноэлектронной аппаратуры. Таганрог 201
Слайд 1

Разработка SiC автоэмиттеров

Автор – аспирант ТТИ ЮФУ Волков Е. Ю. Научный руководитель – к.т.н., доцент Светличный А.М.

Южный Федеральный университет Технологический институт в г. Таганроге Факультет электроники и приборостроения Кафедра технологии микро- и наноэлектронной аппаратуры

Таганрог 2012

Автоэмиссионные катоды. Автоэмиссионные катоды (АЭК) обладают совокупностью свойств, делающих их исключительно перспективными. Это единственный тип катодов, для которого не требуется предварительного возбуждения эмиссии. Автоэлектронная эмиссия из металлических и полупровод­никовых веществ обеспечив
Слайд 2

Автоэмиссионные катоды

Автоэмиссионные катоды (АЭК) обладают совокупностью свойств, делающих их исключительно перспективными. Это единственный тип катодов, для которого не требуется предварительного возбуждения эмиссии. Автоэлектронная эмиссия из металлических и полупровод­никовых веществ обеспечивается сильным ~ 107 В/см внешним элек­трическим полем, которое снижает и, что особенно важно, сужает потенциальный барьер вблизи поверхности катода. Наиболее характерными достоинствами автоэмиссионных катодов являются следующие: Высокая экономичность, обусловленная отсутствием накала. Устойчивость эмиссии к колебаниям температуры в широком ее диапазоне: от гелиевой до температуры красного каления. Высокая плотность тока эмиссии, достигающая 109 А/см2. Устойчивость эмиссии к радиационному облучению вплоть до уровня, вызывающего разрушение материала автокатода. Высокая крутизна вольт-амперной характеристики, обусловлен­ная экспоненциальной зависимостью тока от напряжения. Безынерционность отклика тока на изменение внешнего напря­жения. Совокупность этих свойств делает автоэмиссионные катоды чрез­вычайно привлекательными источниками свободных электронов и сти­мулирует разработки приборов и устройств электронной техники на их основе.

Классификация и типы эмиттеров (автоэмиссионных катодов). По количеству эмиттеров: одноэмиттерные многоэмиттерные многоострийные По геометрии эмиттера: "острые" формы - выступы, нити, острия, лезвия, торцы трубок их системы - пучки нитей, пакеты лезвий, углеродные нанотрубки
Слайд 3

Классификация и типы эмиттеров (автоэмиссионных катодов)

По количеству эмиттеров: одноэмиттерные многоэмиттерные многоострийные По геометрии эмиттера: "острые" формы - выступы, нити, острия, лезвия, торцы трубок их системы - пучки нитей, пакеты лезвий, углеродные нанотрубки

Характеристика карбида кремния. Единственным бинарным соединением, образованным полупроводниковыми элементами IV группы, является карбид SiC, в природе практически не встречающийся. Технический карбид SiC изготавливается в электропечах при восстановлении кварцевого песка углеродом: SiO2+3C→SiC+2CO.
Слайд 4

Характеристика карбида кремния

Единственным бинарным соединением, образованным полупроводниковыми элементами IV группы, является карбид SiC, в природе практически не встречающийся. Технический карбид SiC изготавливается в электропечах при восстановлении кварцевого песка углеродом: SiO2+3C→SiC+2CO. Соединение SiC не взаимодействует с кислотами, растворяется (травится) в нагретых расплавах щелочей. Электропроводность и окраска кристаллов SiC – примесная, чистый карбид Si – бесцветен. Существует около 170 известных политипов карбида кремния, пока только два из них доступны для серийного изготовления полупроводниковых приборов - это 4H-SiC и 6Н-SiC. Электрофизические свойства основных политипов карбида кремния (Т=300 К)

Преимущества SiC полупроводниковых материалов. - Напряженность электрического поля пробоя 4H-SiC более чем на порядок превышает соответствующие показатели у Si и GaAs. Это приводит к значительному снижению сопротивления в открытом состоянии - Малое удельное сопротивление в открытом состоянии, в соче
Слайд 5

Преимущества SiC полупроводниковых материалов

- Напряженность электрического поля пробоя 4H-SiC более чем на порядок превышает соответствующие показатели у Si и GaAs. Это приводит к значительному снижению сопротивления в открытом состоянии - Малое удельное сопротивление в открытом состоянии, в сочетании с высокой плотностью тока и теплопроводностью, позволяет использовать очень маленькие по размерам кристаллы для силовых приборов. Большая ширина запрещенной энергетической зоны является результатом более высокого барьера Шоттки по сравнению с Si и GaAs. В результате чрезвычайно малый ток утечки (менее 70 мкA при 2000С) при повышенной температуре кристалла снижает термоэлектронную эмиссию за пределами барьера. Высокая теплопроводность SiC снижает тепловое сопротивление кристалла (по сравнению с Si диодами - почти в два раза). Электронные свойства приборов на основе SiC очень стабильны во времени и слабо зависят от температуры, что обеспечивает высокую надежность изделий. Карбид кремния чрезвычайно устойчив к жесткой радиации, воздействие которой не приводит к деградации электронных свойств кристалла. Высокая рабочая температура кристалла (более 6000С) позволяет создавать высоконадежные приборы для жестких условий эксплуатации и специальных применений.

SiC диод Шоттки. SiC DMOS ключевой транзистор. SiC LDMOS транзистор SiC UMOS транзистор. Примеры приборов на SiC
Слайд 6

SiC диод Шоттки

SiC DMOS ключевой транзистор

SiC LDMOS транзистор SiC UMOS транзистор

Примеры приборов на SiC

Пример простейшего катода из Me. 1 - подложка 2 - катодный слой из молибдена 3 - диэлектрический слой окиси алюминия 4 - проводниковый слой молибдена 5 – внешний коллектор Испытания проводились в вакуумной камере, 10-7 Па
Слайд 7

Пример простейшего катода из Me

1 - подложка 2 - катодный слой из молибдена 3 - диэлектрический слой окиси алюминия 4 - проводниковый слой молибдена 5 – внешний коллектор Испытания проводились в вакуумной камере, 10-7 Па

Способ изготовления SiC катода. Автоэмиссионные катоды разной формы: а — одноострийный; б — трехострийный; в — лезвийный; 1 — карбид-кремниевая пластина; 2 — осажденная пленка графена; 3 — слой SiO2; 4 — экстракционный электрод. При разности потенциалов в 100 В создается напряженность электрического
Слайд 8

Способ изготовления SiC катода

Автоэмиссионные катоды разной формы: а — одноострийный; б — трехострийный; в — лезвийный; 1 — карбид-кремниевая пластина; 2 — осажденная пленка графена; 3 — слой SiO2; 4 — экстракционный электрод

При разности потенциалов в 100 В создается напряженность электрического поля, до­статочная для автоэлектронной эмиссии в вакууме 1,5*10-5 Па. Полученная плотность автоэмиссионного тока примерно 1,5 * 104 А/м2.

Маршрут изготовления
Слайд 9

Маршрут изготовления

Схема технологического маршрута изготовления автокатода на SiC
Слайд 10

Схема технологического маршрута изготовления автокатода на SiC

Расчет поля автокатода. Для расчета поля автоэмиссионного катода решается задача Дирихле для уравнения Лапласа. Одним из приближенных методов нахождения распределения потенциала, используемых при решении электронно-оптических задач, является метод конечных разностей, в основе которого лежит замена п
Слайд 11

Расчет поля автокатода

Для расчета поля автоэмиссионного катода решается задача Дирихле для уравнения Лапласа. Одним из приближенных методов нахождения распределения потенциала, используемых при решении электронно-оптических задач, является метод конечных разностей, в основе которого лежит замена производных в исходном уравнении их приближенными выражениями через конечные разности. Общая схема проведённых исследований состоит в следующем: В системе автоматизированных вычислений MatLab воспользуемся подпрограммой pdetool. Задаем геометрию катода, моделируем катод, анод, эмиттер, управляющие электроды с реальными размерами. Задаем граничные условия Дирихле, то есть потенциал на границах: на аноде -100 В, на катоде +45 В, на управляющих электродах +15 В. Задаем “сетку”, которая используется в решении поставленной задачи. Далее запускаем процесс решения уравнения Лапласа и построения графиков распределения электрического потенциала и напряженности поля. Так как для эмиссии электронов из эмиттеров, используемых в наших примерах, необходима напряженность близ кончика эмиттера 107-108 В/м, то можно выделить ту площадь эмиттера, с которой эффективно будут вылетать электроны, совершая работу выхода. В дальнейшем эта площадь будет использована для расчета эмиссионного тока.

Основные уравнения автоэмиссии. Уравнение Фаулера- Нордгейма. где J — плотность тока эмиссии, Е — напряженность элек­трического поля на поверхности эмиттера, 0 — работа выхода материала эмиттера, А и В — константы уравнения, которые связаны с фундаментальными физическими величинами, согласно соотно
Слайд 12

Основные уравнения автоэмиссии

Уравнение Фаулера- Нордгейма

где J — плотность тока эмиссии, Е — напряженность элек­трического поля на поверхности эмиттера, 0 — работа выхода материала эмиттера, А и В — константы уравнения, которые связаны с фундаментальными физическими величинами, согласно соотношениям: А = е3/8πh, В = 8π√2m/3еh, где h — постоянная Планка, е — заряд электрона, m — масса покоя свободного электрона, (у) — табулированная функция Нордгейма

Поверхностный потенциальный барьер на границе металл—вакуум в присут­ствие сильного электрического поля. Волнистой линией показан эффект туннелирования электронов сквозь барьер; Е — напряженность электрического поля; е — заряд электрона; φ — работа выхода электронов

Зная напряженность вблизи кончика эмиттера, и зная работу выхода электрона из материалов, используемых для изготовления эмиттеров, можно определить плотность эмиссионного тока с помощью выражения Фаулера-Нордгейма После нахождения плотности тока переходим к току через формулу. Зададим константы урав
Слайд 13

Зная напряженность вблизи кончика эмиттера, и зная работу выхода электрона из материалов, используемых для изготовления эмиттеров, можно определить плотность эмиссионного тока с помощью выражения Фаулера-Нордгейма После нахождения плотности тока переходим к току через формулу

Зададим константы уравнения Фаулера-Нордгейма: - работа выхода электрона. Для эмиттера из карбида кремния это 4,8 эВ. Для эмиттера из арсенида галлия это 4,6 эВ. A=1,6·10-6 А·эВ·В-2. B=7·109 эВ-3/2·В·м-1. С=1,4·10-9 эВ2·м·В-1. E – напряженность поля на кончике эмиттера.

Расчет поля автокатода: тип - острийный. Максимальная напряженность поля. Распределение напряженности поля острийного эмиттера. Синим цветом указана площадь, из которой происходит эмиссия. Распределение электрического потенциала в поле острийного эмиттера. Синим цветом указана площадь, из которой пр
Слайд 14

Расчет поля автокатода: тип - острийный

Максимальная напряженность поля

Распределение напряженности поля острийного эмиттера. Синим цветом указана площадь, из которой происходит эмиссия

Распределение электрического потенциала в поле острийного эмиттера. Синим цветом указана площадь, из которой происходит эмиссия

9·107 В/м 4,5·107 В/м

Расчет поля автокатода: тип - скругленный. Распределение напряженности поля эмиттера с закруглением. Розовым цветом указана площадь, из которой происходит эмиссия. Распределение электрического потенциала поля эмиттера с закруглением. Розовым цветом указана площадь, из которой происходит эмиссия
Слайд 15

Расчет поля автокатода: тип - скругленный

Распределение напряженности поля эмиттера с закруглением. Розовым цветом указана площадь, из которой происходит эмиссия

Распределение электрического потенциала поля эмиттера с закруглением. Розовым цветом указана площадь, из которой происходит эмиссия

Результаты. Подставляя эти значения, а также константы, приведенные выше, в уравнение Фаулера-Нордгейма, переходя от плотности тока к току, учтя площадь поверхностей, из которых идет эмиссия электронов, получим значения токов: I1= 28,27 мкА; I2= 19,34 мкА; I3= 13,12 мкА; I4= 9,02 мкА. 12
Слайд 16

Результаты

Подставляя эти значения, а также константы, приведенные выше, в уравнение Фаулера-Нордгейма, переходя от плотности тока к току, учтя площадь поверхностей, из которых идет эмиссия электронов, получим значения токов: I1= 28,27 мкА; I2= 19,34 мкА; I3= 13,12 мкА; I4= 9,02 мкА.

12

Исследование влияния редкоземельных металлов и их оксидов на эмиссионные свойства карбида кремния. Работа состоит из следующих этапов: Подготовка подложки карбида кремния (SiC) Напыление Ni на подложку SiC методом магнетронного распыления Измерение толщины напыленного Ni Получение омического контакт
Слайд 17

Исследование влияния редкоземельных металлов и их оксидов на эмиссионные свойства карбида кремния

Работа состоит из следующих этапов: Подготовка подложки карбида кремния (SiC) Напыление Ni на подложку SiC методом магнетронного распыления Измерение толщины напыленного Ni Получение омического контакта посредством вжигания Ni Напыление редкоземельного металла (Eu) методом резистивного испарения Измерение толщины напыленного Eu Получение оксида Eu с помощью окисления во влажном кислороде Проведение измерений ВАХ трёх полученных образцов – чистого карбида кремния, карбида кремния с напыленным на нем Европием, карбида кремния с оксидом Европия с помощью туннельной сканирующей микроскопии, в одном диапазоне напряжений. Измерение распределения работы выхода с помощью метода модуляции расстояния зонд-образец Получение АСМ изображений образцов карбида кремния. Вычисление работы выхода электронов для полученных образцов Анализ полученных результатов

Описание этапов. Подготовка подложки SiC. Обезжиривание в кипящем растворе (10 мин): H2O - 1 часть, H2O2 (10%) - 1 часть, H2SO4 (конц.) - 1 часть Ополаскивание в дистилированной воде Обработка в HF (10%) при 20°С - 30 секунд Обработка в кипящем растворе АПР (10 мин): NH4OH (конц.) - 3 части, Н2O2 (1
Слайд 18

Описание этапов

Подготовка подложки SiC

Обезжиривание в кипящем растворе (10 мин): H2O - 1 часть, H2O2 (10%) - 1 часть, H2SO4 (конц.) - 1 часть Ополаскивание в дистилированной воде Обработка в HF (10%) при 20°С - 30 секунд Обработка в кипящем растворе АПР (10 мин): NH4OH (конц.) - 3 части, Н2O2 (10%) - 3 части, H2O (дист.) - 10 частей Ополаскивание в дистилированной воде Обработка в HF (10%) при 20°С - 30 секунд Ополаскивание в дистилированной воде Обработка в кипящем растворе (10 мин): H2O (дист.) - 10 частей, H2O2 (10%) - 3 части, HCl (конц.) – 3 части Ополаскивание в дистилированной воде Обработка в HF (10%) при 20°С - 30 секунд Ополаскивание в дистилированной воде Повторение операций №5 и №6

Напыление контактов Ni

Мощность, при которой производилось напыление P=350 Вт, рабочее напряжение U=621 В, давление в камере p=4,2*10-1 Па, рабочая среда – Аргон. Напыление контактов Ni было произведено при температуре 22°С, время напыления составило 7 минут.

Измерение толщины слоя напыленного Ni. где N1 – первый отсчет при измерении интервала между полосами; N2 – второй отсчет при измерении интервала между полосами; N3 - первый отсчет при измерении величины изгиба полосы; N4 - второй отсчет при измерении величины изгиба полосы; n – число интервалов межд
Слайд 19

Измерение толщины слоя напыленного Ni

где N1 – первый отсчет при измерении интервала между полосами; N2 – второй отсчет при измерении интервала между полосами; N3 - первый отсчет при измерении величины изгиба полосы; N4 - второй отсчет при измерении величины изгиба полосы; n – число интервалов между полосами. Произведя измерения, получаем N1=3.33 мкм; N2=5.04 мкм; N3=4.04 мкм. Подставив наши данные в формулу (2), получим следующее значение толщины напыленного Ni: WNi=0,66 мкм.

Вжигание контактов Ni

Вжигание контактов было произведено при температуре 550 °С, в течение 15 секунд, с помощью БТО. Рабочей средой являлся Аргон. В качестве источника нагрева использовалось некогерентное излучение галогеновых ламп.

Напыление Европия. Напыление Eu на подложку SiC было произведено в вакуумной установке ВУ-2М методом резистивного испарения. Глубина вакуума составляла 3*10-3 Па. Образцы подогревались до температуры 200°С для улучшения адгезии. Измерение толщины слоя напыленного Eu. Произведя необходимые измерения,
Слайд 20

Напыление Европия

Напыление Eu на подложку SiC было произведено в вакуумной установке ВУ-2М методом резистивного испарения. Глубина вакуума составляла 3*10-3 Па. Образцы подогревались до температуры 200°С для улучшения адгезии.

Измерение толщины слоя напыленного Eu

Произведя необходимые измерения, получим для Eu N1=3.62 мкм; N2=4 мкм; N3=3.87 мкм. В итоге мы получили следующее значение толщины напыленного Eu: WEu= 0.41 мкм.

Измерение ВАХ системы зонд-образец и АСМ изображения образцов. ВАХ чистого SiC. ВАХ образца с напыленным Eu на SiC
Слайд 21

Измерение ВАХ системы зонд-образец и АСМ изображения образцов

ВАХ чистого SiC

ВАХ образца с напыленным Eu на SiC

ВАХ образца с напыленным Eu2O3. Численные значения ВАХ для трех образцов, которые использовались в расчетах
Слайд 22

ВАХ образца с напыленным Eu2O3

Численные значения ВАХ для трех образцов, которые использовались в расчетах

ИЗМЕРЕНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ РАБОТЫ ВЫХОДА С ПОМОЩЬЮ МЕТОДА МОДУЛЯЦИИ РАССТОЯНИЯ ЗОНД-ОБРАЗЕЦ
Слайд 23

ИЗМЕРЕНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ РАБОТЫ ВЫХОДА С ПОМОЩЬЮ МЕТОДА МОДУЛЯЦИИ РАССТОЯНИЯ ЗОНД-ОБРАЗЕЦ

Эмиттеры Слайд: 24
Слайд 24
Заключение и выводы. Разработаны основные конструктивные элементы автоэмиссионных структур для высокотемпературной наноэлектроники (на примере автокатода на карбиде кремния). Разработан технологический маршрут изготовления автоэмиссионных наноструктур (на примере автокатода на карбиде кремния). Выпо
Слайд 25

Заключение и выводы

Разработаны основные конструктивные элементы автоэмиссионных структур для высокотемпературной наноэлектроники (на примере автокатода на карбиде кремния). Разработан технологический маршрут изготовления автоэмиссионных наноструктур (на примере автокатода на карбиде кремния). Выполнен выбор типа острия эмиттера. Выполнен пример расчета электрического поля автокатода Выполнены экспериментальные исследования влияния редкоземельных металлов и их оксидов на эмиссию карбида кремния.

Спасибо за внимание!
Слайд 26

Спасибо за внимание!

Список похожих презентаций

Свободное падение физика

Свободное падение физика

Свободное падение тел впервые исследовал Галилей, который установил, что свободно падающие тела движутся равноускоренно с одинаковым для всех тел ...
Строение атома Квантовая физика

Строение атома Квантовая физика

строение атома 11 квантовая физика ФИЗИКА КЛАСС. Данный урок проводится по типу телевизионной передачи…. Квантовая физика. Строения атома. ВЫХОД. ...
Презентации и физика

Презентации и физика

Актуальность. «Главная задача современной школы - это раскрытие способностей каждого ученика, воспитание личности, готовой к жизни в высокотехнологичном, ...
Радиосвязь физика

Радиосвязь физика

Вопросы. Что такое и колебательный контур? Для чего он предназначен Какие превращения энергии происходят в колебательном контуре? Чем отличается открытый ...
Молекулярная физика и термодинамика

Молекулярная физика и термодинамика

Содержание:. Структура и содержание МКТ. Основные положения МКТ. Опытные обоснования МКТ. Роль диффузии и броуновского движения в природе и технике. ...
Науки и физика

Науки и физика

ИНТЕГРАЦИЯ — (лат. Integratio- восстановление-восполнение) процесс сближения и связи наук, состояние связанности отдельных частей в одно целое, а ...
Атомная физика

Атомная физика

Факты, свидетельствующие о сложном строении атома. Периодическая система Д.И. Менделеева Электролиз Открытие электрона Катодные лучи Радиоактивность. ...
Молекулярная физика

Молекулярная физика

Цель: повторение основных понятий, законов и формул МОЛЕКУЛЯРНОЙ ФИЗИКИ в соответствии с кодификатором ЕГЭ. Элементы содержания, проверяемые на ЕГЭ ...
«Сообщающиеся сосуды» физика

«Сообщающиеся сосуды» физика

Цель: изучить особенности сообщающихся сосудов и сформулировать основной закон сообщающихся сосудов. Опыт с двумя трубками. Опыт с сосудами разной ...
«Электромагнит» физика

«Электромагнит» физика

2. Как располагаются железные опилки в магнитном поле прямого тока? 3. Что называют магнитной линией магнитного поля? 4. Для чего вводят понятие магнитной ...
«Световые волны» физика

«Световые волны» физика

Оглавление:. Принцип Гюйгенса Закон отражения света Закон преломления света Полное отражение Линза Расчёт увеличения линзы Дисперсия света Интерференция ...
«Оптические приборы» физика

«Оптические приборы» физика

Содержание. 1.Телескоп 2.Строение телескопа 3.Разновидности телескопов 4.Рефлекторы 5.Использование телескопов 6.Микроскоп 7.Создание микроскопа 8.Использование ...
«МКТ» физика

«МКТ» физика

Содержание. Молекулярная физика Основы молекулярно-кинетической теории строения вещества (МКТ) Температура и внутренняя энергия тела Характеристика ...
«Механические волны» физика

«Механические волны» физика

Цель исследования: установить с научной точки зрения, что такое звук. Задачи исследования: 1.    Изучить физическую теорию звука. 2.    Исследовать историю ...
Атомная физика

Атомная физика

План урока 1. Из истории физики 2. Модель Томсона 3. Опыт Резерфорда 4. Противоречия 5.Постулаты Бора 6.Энергетическая диаграмма атома водорода 7. ...
Лампы накаливания физика

Лампы накаливания физика

Актуальность. 2 июля 2009 года Президент России Дмитрий Медведев, выступая на заседании президума Госсовета по вопросам повышения энергоэффективности ...
Атомная физика

Атомная физика

Атомная физика. Атомная физика на стыке XIX и ХХ вв. в науке свершились открытия, заставившие заколебаться сложившуюся картину мира. Представлениям, ...
Молекулярная физика и термодинамика

Молекулярная физика и термодинамика

Литература: 1. Кудрявцев Б.Б., Курс физики: Теплота и молекулярная физика. – М.: Учпедгиз, 1960. 210 с. 2. Савельев И.В. Курс общей физики Т. 1, Механика, ...
Атомная физика

Атомная физика

СТРОЕНИЕ АТОМА Модель Томсона. Модель Резерфорда. Опыт Резерфорда. Определение размеров. атомного ядра Планетарная модель атома. Планетарная модель ...
Музыка и физика

Музыка и физика

Урок подготовили:. Учащиеся 9Б класса и Алевтина Антоновна Петриченко – учитель физики первой категории МОУ «СОШ № 30» г.Чебоксары. Надежда Николаевна ...

Советы как сделать хороший доклад презентации или проекта

  1. Постарайтесь вовлечь аудиторию в рассказ, настройте взаимодействие с аудиторией с помощью наводящих вопросов, игровой части, не бойтесь пошутить и искренне улыбнуться (где это уместно).
  2. Старайтесь объяснять слайд своими словами, добавлять дополнительные интересные факты, не нужно просто читать информацию со слайдов, ее аудитория может прочитать и сама.
  3. Не нужно перегружать слайды Вашего проекта текстовыми блоками, больше иллюстраций и минимум текста позволят лучше донести информацию и привлечь внимание. На слайде должна быть только ключевая информация, остальное лучше рассказать слушателям устно.
  4. Текст должен быть хорошо читаемым, иначе аудитория не сможет увидеть подаваемую информацию, будет сильно отвлекаться от рассказа, пытаясь хоть что-то разобрать, или вовсе утратит весь интерес. Для этого нужно правильно подобрать шрифт, учитывая, где и как будет происходить трансляция презентации, а также правильно подобрать сочетание фона и текста.
  5. Важно провести репетицию Вашего доклада, продумать, как Вы поздороваетесь с аудиторией, что скажете первым, как закончите презентацию. Все приходит с опытом.
  6. Правильно подберите наряд, т.к. одежда докладчика также играет большую роль в восприятии его выступления.
  7. Старайтесь говорить уверенно, плавно и связно.
  8. Старайтесь получить удовольствие от выступления, тогда Вы сможете быть более непринужденным и будете меньше волноваться.

Информация о презентации

Ваша оценка: Оцените презентацию по шкале от 1 до 5 баллов
Дата добавления:3 мая 2019
Категория:Физика
Содержит:26 слайд(ов)
Поделись с друзьями:
Скачать презентацию
Смотреть советы по подготовке презентации