- Силовые полупроводниковые приборы

Презентация "Силовые полупроводниковые приборы" – проект, доклад

Слайд 1
Слайд 2
Слайд 3
Слайд 4
Слайд 5
Слайд 6
Слайд 7
Слайд 8
Слайд 9
Слайд 10
Слайд 11
Слайд 12
Слайд 13
Слайд 14

Презентацию на тему "Силовые полупроводниковые приборы" можно скачать абсолютно бесплатно на нашем сайте. Предмет проекта: Разные. Красочные слайды и иллюстрации помогут вам заинтересовать своих одноклассников или аудиторию. Для просмотра содержимого воспользуйтесь плеером, или если вы хотите скачать доклад - нажмите на соответствующий текст под плеером. Презентация содержит 14 слайд(ов).

Слайды презентации

Силовые полупроводниковые приборы
Слайд 1

Силовые полупроводниковые приборы

Силовые п/п приборы – управляемые приборы, используемые в различных силовых устройствах: электроприводе, источниках питания, мощных преобразовательных установках. Для снижения потерь эти приборы в основном работают в ключевом режиме. Основные требования: Малые потери при коммутации; Большая скорость
Слайд 2

Силовые п/п приборы – управляемые приборы, используемые в различных силовых устройствах: электроприводе, источниках питания, мощных преобразовательных установках. Для снижения потерь эти приборы в основном работают в ключевом режиме. Основные требования: Малые потери при коммутации; Большая скорость переключения из одного состояния в другое; Малое потребление по цепи управления; Большой коммутируемый ток и высокое рабочее напряжение. Разработаны приборы на токи до 1000 А и рабочее напряжение свыше 6 кВ, работают на частотах до 1 МГц. Значительно снижена мощность управления силовыми ключами.

Силовые полупроводниковые приборы Слайд: 3
Слайд 3
IGBT–транзисторы. Транзисторы по принципу действия делятся на биполярные (управляемые током), униполярные (управляемые электрическим полем или полевые) и IGBT–транзисторы. Аббревиатура IGBT – это сокращение названия Insulated gate bipolar transistor. В переводе это значит биполярный транзистор с изо
Слайд 4

IGBT–транзисторы

Транзисторы по принципу действия делятся на биполярные (управляемые током), униполярные (управляемые электрическим полем или полевые) и IGBT–транзисторы. Аббревиатура IGBT – это сокращение названия Insulated gate bipolar transistor. В переводе это значит биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ). В биполярных транзисторах ток определяется движением носителей зарядов обоих знаков: электронов и дырок, поэтому они называются биполярными. В полевых транзисторах ток определяется шириной проводящего канала, по которому движутся носители зарядов одного знака, отсюда их другое название – униполярные. IGBT–транзисторы являются гибридными, в них сочетаются положительные свойства биполярных и полевых транзисторов.

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ) или, как они сокращенно называются по-английски IGBT, представляют собой гибрид биполярного транзистора и ПТИЗ, сочетающий их лучшие свойства. БТИЗ – это сложная многослойная структура и процессы в ней весьма сложны. Поэтому на рис. 2.17 приведе
Слайд 5

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ) или, как они сокращенно называются по-английски IGBT, представляют собой гибрид биполярного транзистора и ПТИЗ, сочетающий их лучшие свойства. БТИЗ – это сложная многослойная структура и процессы в ней весьма сложны. Поэтому на рис. 2.17 приведена очень упрощенная схема замещения. При подаче на затвор З напряжения, положительного относительно точки Э, ПТИЗ открывается и начинает проходить ток от точки К через эмиттерно-базовый переход биполярного транзистора и открытый ПТИЗ к точке Э. При этом открывается биполярный транзистор, через который проходит ток от точки К к точке Э. Буквами Э, К, З обозначены эмиттер, коллектор и затвор БТИЗ. БТИЗ могут работать только в ключевом режиме. БТИЗ в настоящее время получили наибольшее распространение в устройствах силовой электроники при мощностях от сотен Вт до тысячи кВт.

При изготовлении ПТИЗ, имеющих вертикальный канал, образуется паразитный БТ, который не находил практического применения. На рис VT - ПТИЗ, Т1 – паразитный БТ, R1 – последовательное сопротивление канала ПТ, R2 – сопротивление, шунтирующее переход база-эмиттер БТ Т1. благодаря сопротивлению R2 БТ зап
Слайд 6

При изготовлении ПТИЗ, имеющих вертикальный канал, образуется паразитный БТ, который не находил практического применения. На рис VT - ПТИЗ, Т1 – паразитный БТ, R1 – последовательное сопротивление канала ПТ, R2 – сопротивление, шунтирующее переход база-эмиттер БТ Т1. благодаря сопротивлению R2 БТ заперт и не оказывает влияния на VT.

Структура IGBT аналогична структуре ПТИЗ, но дополнена еще одним p-n-переходом, благодаря которому в схеме замещения появляется еще один p-n-p-транзистор Т2. Образовавшаяся структура из двух транзисторов Т1 и Т2 имеет глубоко внутреннюю положительную обратную связь, так как ток коллектора транзистор
Слайд 7

Структура IGBT аналогична структуре ПТИЗ, но дополнена еще одним p-n-переходом, благодаря которому в схеме замещения появляется еще один p-n-p-транзистор Т2. Образовавшаяся структура из двух транзисторов Т1 и Т2 имеет глубоко внутреннюю положительную обратную связь, так как ток коллектора транзистора Т2 влияет на ток базы транзистора Т1, а ток коллектора транзистора Т1 определяет ток базы транзистора Т2. Ток стока или Ток IGBT транзистора Эквивалентная крутизна эквивалентная крутизна превышает крутизну ПТИЗ, регулировать их значения можно за счет R1 и R2.

ВАХ схем замещения IGBT транзистора
Слайд 8

ВАХ схем замещения IGBT транзистора

Область безотказной работы БТИЗ. На ОБР отсутствует участок вторичного пробоя, характерный для БТ. Поскольку в основу транзисторов типа IGBT положены ПТИЗ с индуцированным каналом, то напряжение, подаваемое на затвор должно быть больше порового напряжения, которое имеет значение 5-6 В. Быстродействи
Слайд 9

Область безотказной работы БТИЗ

На ОБР отсутствует участок вторичного пробоя, характерный для БТ. Поскольку в основу транзисторов типа IGBT положены ПТИЗ с индуцированным каналом, то напряжение, подаваемое на затвор должно быть больше порового напряжения, которое имеет значение 5-6 В. Быстродействие БТИЗ несколько ниже быстродействия ПТ, но значительно выше быстродействия БТ. Время вкл и выкл не превышает 0,5 -1,0 мкс.

Характеристики БТИЗ. Выходные характеристики БТИЗ похожи на характеристики ПТИЗ, но на участке насыщения они идут значительно круче. Это обуславливает значительно меньшее падение напряжения в клю-чевом режиме. Передаточные характеристики аналогичны.
Слайд 10

Характеристики БТИЗ

Выходные характеристики БТИЗ похожи на характеристики ПТИЗ, но на участке насыщения они идут значительно круче. Это обуславливает значительно меньшее падение напряжения в клю-чевом режиме. Передаточные характеристики аналогичны.

схемы, обеспечивающие работу транзисторов разных типов в ключевом режиме
Слайд 11

схемы, обеспечивающие работу транзисторов разных типов в ключевом режиме

Схемы транзисторных ключей (а, б, в), их выходные ВАХ (г, д, е) и ВАХ идеального транзисторного ключа (ж). В ключевом режиме все транзисторы в открытом состоянии работают на вертикальной части выходной ВАХ (малое падение напряжения), а в закрытом – на нижней горизонтальной ВАХ (малый ток). Все транз
Слайд 12

Схемы транзисторных ключей (а, б, в), их выходные ВАХ (г, д, е) и ВАХ идеального транзисторного ключа (ж)

В ключевом режиме все транзисторы в открытом состоянии работают на вертикальной части выходной ВАХ (малое падение напряжения), а в закрытом – на нижней горизонтальной ВАХ (малый ток). Все транзисторные ключи не допускают приложения обратного напряжения и, поэтому, как правило, шунтируются обратными диодами (рис. 2.23 а – в).

Основные параметры ПТИЗ и БТИЗ. Основные параметры ПТИЗ и БТИЗ практически одинаковы, только взамен названий электродов сток и исток употребляются термины коллектор и эмиттер. По току стока: - максимально допустимый ток стока Iс.max при заданной температуре корпуса (достигает 100 А у ПТИЗ и 2000 А у
Слайд 13

Основные параметры ПТИЗ и БТИЗ

Основные параметры ПТИЗ и БТИЗ практически одинаковы, только взамен названий электродов сток и исток употребляются термины коллектор и эмиттер. По току стока: - максимально допустимый ток стока Iс.max при заданной температуре корпуса (достигает 100 А у ПТИЗ и 2000 А у БТИЗ); - ток стока отсечки (через запертый транзистор) Iотс. По напряжению на стоке: - максимально допустимое напряжение сток-исток Uси.max при токе базы равном нулю (достигает 900 В у ПТИЗ и 4500 В у БТИЗ); Iс.max и Uси.max не могут достигать одновременно максимальных значений. По сопротивлению: сопротивление сток-исток в открытом состоянии при заданном токе стока и напряжении затвор-исток Rси (от десятков мОм до единиц Ом). По мощности: максимальная мощность рассеяния на стоке Pс.max при заданной температуре корпуса. По управлению: - крутизна передаточной характеристики - максимально допустимое напряжение затвор-исток Uзи.max (до 20 В); - пороговое напряжение затвор-исток UЗ0 (2 – 5 В). Тепловые параметры: - тепловое сопротивление переход-корпус (при применении охладителя) RТ(П-К); - тепловое сопротивление переход-окружающая среда (при отсутствии охладителя) RТ(П-С). Параметры для БТИЗ практически те же, но вместо параметра сопротивление сток-исток Rси в открытом состоянии используется напряжение насыщения коллектор-эмиттер Uкэ.нас, которое определяется при заданном токе коллектора и напряжении затвор-эмиттер (1,5 – 3,5 В).

Силовые полупроводниковые приборы Слайд: 14
Слайд 14

Список похожих презентаций

Электроизмерительные приборы

Электроизмерительные приборы

Термины и определения. ГОСТ 30012.1-2002 «ПРИБОРЫ АНАЛОГОВЫЕ ПОКАЗЫВАЮЩИЕ ЭЛЕКТРОИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ПРЯМОГО ДЕЙСТВИЯ И ВСПОМОГАТЕЛЬНЫЕ ЧАСТИ К НИМ. Часть ...
Электроизмерительные приборы

Электроизмерительные приборы

. . Магнитоэлектрические приборы. Устройство и принцип действия. Магнитоэлектрический измерительный механизм (рис. 321,а) выполнен в виде постоянного ...
Тема: Цифровые измерительные приборы (ЦИП)

Тема: Цифровые измерительные приборы (ЦИП)

1 Общие сведения по устройству и принципу действия ЦИП. Цифровыми называются измерительные приборы, автоматически вырабатывающие дискретные сигналы ...
Цифровые приборы и оборудование

Цифровые приборы и оборудование

Цифровой микроскоп. Оптический микроскоп, снабжен преобразователем визуальной информации в цифровую, обеспечивающим передачу в компьютер в реальном ...
Тема:  Электромеханические приборы

Тема: Электромеханические приборы

1 Общие вопросы устройства и теории электромеханических приборов. 1.1 Устройство электромеханических приборов Электромеханическими называются измерительные ...
Столовая посуда и приборы

Столовая посуда и приборы

Виды столовой посуды (материал изготовления). Фарфоровая Фаянсовая Керамическая Стеклянная Хрустальная Металлическая Деревянная Пластиковая. Фарфоровая ...
Пневматические приборы

Пневматические приборы

Немного из истории. В начале 50-х годов в Советском Союзе была разработана агрегатная унифицированная система контроля и управления (АУС), предназначенная ...
Пневматические измерительные приборы

Пневматические измерительные приборы

Пневматический измерительный прибор в машиностроении, средство измерения линейных размеров деталей машин и механизмов по расходу воздуха, выходящего ...
Контрольно-измерительные приборы

Контрольно-измерительные приборы

Измерительные приборы в нашей жизни. Измерительный прибор — средство измерений, предназначенное для получения значений измеряемой физической величины ...

Советы как сделать хороший доклад презентации или проекта

  1. Постарайтесь вовлечь аудиторию в рассказ, настройте взаимодействие с аудиторией с помощью наводящих вопросов, игровой части, не бойтесь пошутить и искренне улыбнуться (где это уместно).
  2. Старайтесь объяснять слайд своими словами, добавлять дополнительные интересные факты, не нужно просто читать информацию со слайдов, ее аудитория может прочитать и сама.
  3. Не нужно перегружать слайды Вашего проекта текстовыми блоками, больше иллюстраций и минимум текста позволят лучше донести информацию и привлечь внимание. На слайде должна быть только ключевая информация, остальное лучше рассказать слушателям устно.
  4. Текст должен быть хорошо читаемым, иначе аудитория не сможет увидеть подаваемую информацию, будет сильно отвлекаться от рассказа, пытаясь хоть что-то разобрать, или вовсе утратит весь интерес. Для этого нужно правильно подобрать шрифт, учитывая, где и как будет происходить трансляция презентации, а также правильно подобрать сочетание фона и текста.
  5. Важно провести репетицию Вашего доклада, продумать, как Вы поздороваетесь с аудиторией, что скажете первым, как закончите презентацию. Все приходит с опытом.
  6. Правильно подберите наряд, т.к. одежда докладчика также играет большую роль в восприятии его выступления.
  7. Старайтесь говорить уверенно, плавно и связно.
  8. Старайтесь получить удовольствие от выступления, тогда Вы сможете быть более непринужденным и будете меньше волноваться.

Информация о презентации

Ваша оценка: Оцените презентацию по шкале от 1 до 5 баллов
Дата добавления:14 сентября 2019
Категория:Разные
Содержит:14 слайд(ов)
Поделись с друзьями:
Скачать презентацию
Смотреть советы по подготовке презентации